Descrición
A nosa empresa ofreceRevestimento de SiCservizos de proceso mediante o método CVD na superficie de grafito, cerámica e outros materiais, de xeito que gases especiais que conteñen carbono e silicio reaccionen a alta temperatura para obter moléculas de SiC de alta pureza, moléculas depositadas na superficie dos materiais revestidos, formando uncapa protectora de SiC.
Características principais
1. Resistencia á oxidación a altas temperaturas:
A resistencia á oxidación segue sendo moi boa cando a temperatura alcanza os 1600 °C.
2. Alta pureza: fabricado por deposición química de vapor en condicións de cloración a alta temperatura.
3. Resistencia á erosión: alta dureza, superficie compacta, partículas finas.
4. Resistencia á corrosión: ácidos, álcalis, sales e reactivos orgánicos.
Principais especificacións do revestimento CVD-SIC
| Propiedades de SiC-CVD | ||
| Estrutura cristalina | Fase β da FCC | |
| Densidade | g/cm³ | 3.21 |
| Dureza | Dureza Vickers | 2500 |
| Tamaño do gran | μm | 2~10 |
| Pureza química | % | 99,99995 |
| Capacidade calorífica | J·kg-1 ·K-1 | 640 |
| Temperatura de sublimación | ℃ | 2700 |
| Resistencia feflexural | MPa (RT de 4 puntos) | 415 |
| Módulo de Young | Gpa (curvatura de 4 puntos, 1300 ℃) | 430 |
| Expansión térmica (CTE) | 10-6K-1 | 4.5 |
| Condutividade térmica | (W/mK) | 300 |
Equipamento
-
Portador de obleas GAN Epi recubierto de SiC
-
Po de carburo de silicio 6N para o crecemento de PVT SiC
-
Susceptor de barril revestido de SiC
-
Anel de enfoque de SiC (anel de enfoque de carburo de silicio)
-
Discos de oblea epitaxiais de carburo de silicio para VEECO...
-
Soporte de oblea de carburo de silicio