Características distintivas de Semicera: as nosas solucións únicas de carburo de silicio

Semicera Semiconductor Technology Co., Ltd., con sede en Ningbo, provincia de Zhejiang, China, fundouse en xaneiro de 2018. A nosa misión é dar forma ao futuro a través dos materiais e a nosa visión é converternos nunha empresa líder en novos materiais con tecnoloxías básicas no campo dos semicondutores. Especializámonos na investigación e desenvolvemento de tecnoloxías avanzadas como revestimentos de SiC, revestimentos Tac, revestimentos de carbono pirolítico, SiC CVD (SiC sólido) e carburo de silicio recristalizado, que son fundamentais para a industria dos semicondutores. Tamén nos centramos na produción a grande escala de produtos de materiais de alta pureza.

Honra e certificación

Instalacións e laboratorios

forno de alta temperatura CVD

Substratos de revestimento para epitaxia de chips LED, epitaxia de obleas de silicio, substratos e compoñentes de epitaxia de semicondutores de terceira xeración, revestimentos de TaC e moito máis.

Forno de purificación ao baleiro

Purificación de elementos a base de carbono como grafito, feltro de carbono, po de grafito e compostos de carbono.

forno de grafitización horizontal

Emprégase principalmente para o tratamento a alta temperatura de materiais de carbono, como a sinterización e grafitización de materiais de carbono, a grafitización de películas de PI, a sinterización de materiais termocondutores, a sinterización e grafitización de cordas de fibra de carbono, a grafitización de filamentos de fibra de carbono, a purificación de po de grafito e outros materiais axeitados para a grafitización en ambientes de carbono.