Barco de obleas de SiC
Barco de obleas de carburo de silicioé un dispositivo de soporte de carga para obleas, utilizado principalmente en procesos de difusión solar e de semicondutores. Ten características como resistencia ao desgaste, resistencia á corrosión, resistencia ao impacto a altas temperaturas, resistencia ao bombardeo con plasma, capacidade de soporte a altas temperaturas, alta condutividade térmica, alta disipación de calor e uso a longo prazo que non é doado de dobrar nin deformar. A nosa empresa utiliza material de carburo de silicio de alta pureza para garantir a vida útil e ofrece deseños personalizados, incluíndo varios soportes verticais e horizontais.barco de obleas.
Pala de SiC
O/Apala en voladizo de carburo de silicioúsase principalmente no revestimento (por difusión) de obleas de silicio, que xoga un papel crucial na carga e transporte de obleas de silicio a alta temperatura. É un compoñente clave deoblea de semicondutoressistemas de carga e ten as seguintes características principais:
1. Non se deforma en ambientes de alta temperatura e ten unha alta forza de carga sobre as obleas;
2. É resistente ao frío extremo e á calor rápida e ten unha longa vida útil;
3. O coeficiente de expansión térmica é pequeno, o que prolonga considerablemente o ciclo de mantemento e limpeza e reduce significativamente os contaminantes.
Tubo de forno de SiC
Tubo de proceso de carburo de silicio, feito de SiC de alta pureza sen impurezas metálicas, non contamina a oblea e é axeitado para procesos como a difusión, o recocido e a oxidación de semicondutores e fotovoltaicos.
Brazo robótico de SiC
Brazo robótico de SiC, tamén coñecido como efector final de transferencia de obleas, é un brazo robótico que se emprega para transportar obleas de semicondutores e utilízase amplamente nas industrias de semicondutores, optoelectrónica e enerxía solar. O uso de carburo de silicio de alta pureza, con alta dureza, resistencia ao desgaste, resistencia sísmica, uso a longo prazo sen deformación, longa vida útil, etc., pode proporcionar servizos personalizados.
Grafito para o crecemento de cristais
Escudo térmico de grafito
Tubo de eléctrodo de grafito
Deflector de grafito
Mandril de grafito
Todos os procesos empregados para o cultivo de cristais semicondutores funcionan en ambientes corrosivos e de alta temperatura. A zona quente do forno de crecemento de cristais adoita estar forrada con compoñentes de grafito de alta pureza resistentes á calor e á corrosión, como quentadores de grafito, crisois, cilindros, deflectores, mandriles, tubos, aneis, soportes, porcas, etc. O noso produto acabado pode alcanzar un contido de cinzas inferior a 5 ppm.
Grafito para epitaxia de semidonductores
Base de grafito
Barril epitaxial de grafito
Base epitaxial de silicio Monocry Stalline
Pezas de grafito MOCVD
Fixación de grafito semicondutor
O proceso epitaxial refírese ao crecemento dun material monocristalino sobre un substrato monocristalino coa mesma disposición de rede que o substrato. Require moitas pezas de grafito de pureza ultra alta e unha base de grafito con revestimento SIC. O grafito de alta pureza utilizado para a epitaxia de semicondutores ten unha ampla gama de aplicacións, que poden coincidir cos equipos máis utilizados na industria. Ao mesmo tempo, ten unha pureza extremadamente alta, un revestimento uniforme, unha excelente vida útil e unha resistencia química e estabilidade térmica extremadamente altas.
Material de illamento e outros
Os materiais de illamento térmico empregados na produción de semicondutores son feltro duro de grafito, feltro brando, lámina de grafito, materiais compostos de carbono, etc. As nosas materias primas son materiais de grafito importados, que se poden cortar segundo as especificacións dos clientes e tamén se poden vender enteiros. O material composto de carbono adoita empregarse como soporte para o proceso de produción de células solares monocristais e polisilicio.