Portador de grafito revestido de SiC de longa vida útil para oblea solar

Descrición curta:

O carburo de silicio é un novo tipo de cerámica con alto rendemento en termos de custos e excelentes propiedades do material. Debido a características como a alta resistencia e dureza, a alta resistencia á temperatura, a gran condutividade térmica e a resistencia á corrosión química, o carburo de silicio pode soportar case todos os medios químicos. Polo tanto, o SiC úsase amplamente na minería de petróleo, na química, na maquinaria e no espazo aéreo; mesmo a enerxía nuclear e o exército teñen as súas propias demandas especiais para o SIC. Algunhas aplicacións normais que podemos ofrecer son aneis de selado para bombas, válvulas e armaduras protectoras, etc.


Detalle do produto

Etiquetas do produto

Vantaxes

Resistencia á oxidación a altas temperaturas
Excelente resistencia á corrosión
Boa resistencia á abrasión
Alto coeficiente de condutividade térmica
Autolubricidade, baixa densidade
Alta dureza
Deseño personalizado.

HGF (2)
HGF (1)

Aplicacións

-Campo resistente ao desgaste: bucha, placa, boquilla de chorro de area, revestimento de ciclón, barril de moenda, etc...
-Campo de alta temperatura: laxa de siC, tubo de forno de temple, tubo radiante, crisol, elemento calefactor, rolo, viga, intercambiador de calor, tubo de aire frío, boquilla de queimador, tubo de protección de termopar, barco de siC, estrutura de vagón de forno, colocador, etc.
-Semicondutores de carburo de silicio: barco de obleas de SiC, mandril de Sic, paleta de Sic, casete de Sic, tubo de difusión de Sic, forquita de obleas, placa de succión, guía, etc.
-Campo de selado de carburo de silicio: todo tipo de aneis de selado, rolamentos, casquillos, etc.
-Campo fotovoltaico: paleta en voladizo, barril de moenda, rolo de carburo de silicio, etc.
-Campo de baterías de litio

OBLEA (1)

OBLEA (2)

Propiedades físicas do SiC

Propiedade Valor Método
Densidade 3,21 g/cc Sink-float e dimensión
Calor específico 0,66 J/g °K Flash láser pulsado
Resistencia á flexión 450 MPa560 MPa Curva de 4 puntos, curva de 4 puntos RT, 1300°
Tenacidade á fractura 2,94 MPa m1/2 Microindentación
Dureza 2800 Vicker's, carga de 500 g
Módulo elástico Módulo de Young 450 GPa430 GPa Curva de 4 puntos, curva RT4 puntos, 1300 °C
Tamaño do gran 2 – 10 µm SEM

Propiedades térmicas do SiC

Condutividade térmica 250 W/m °K Método de flash láser, RT
Expansión térmica (CTE) 4,5 x 10⁻⁶ °K Temperatura ambiente a 950 °C, dilatómetro de sílice

Parámetros técnicos

Elemento Unidade Datos
RBSiC(SiSiC) NBSiC SSiC RSiC OSiC
contido de SiC % 85 75 99 99,9 ≥99
contido de silicio libre % 15 0 0 0 0
Temperatura máxima de servizo 1380 1450 1650 1620 1400
Densidade g/cm3 3.02 2,75-2,85 3.08-3.16 2,65-2,75 2,75-2,85
Porosidade aberta % 0 13-15 0 15-18 7-8
Resistencia á flexión 20 ℃ Мpa 250 160 380 100 /
Resistencia á flexión 1200 ℃ Мpa 280 180 400 120 /
Módulo de elasticidade 20 ℃ GPA 330 580 420 240 /
Módulo de elasticidade 1200 ℃ GPA 300 / / 200 /
Condutividade térmica 1200 ℃ W/mK 45 19,6 100-120 36,6 /
Coeficiente de expansión térmica K-1X10-6 4.5 4.7 4.1 4,69 /
HV kg/m²m2 2115 / 2800 / /

O revestimento de carburo de silicio CVD na superficie exterior dos produtos cerámicos de carburo de silicio recristalizado pode alcanzar unha pureza superior ao 99,9999 % para satisfacer as necesidades dos clientes da industria dos semicondutores.

Lugar de traballo de Semiceira
Lugar de traballo de Semiceira 2
Máquina de equipamento
Procesamento de CNN, limpeza química, revestimento CVD
O noso servizo

  • Anterior:
  • Seguinte: