-
Explicación da unión de obleas de SiC
Unión de obleas de SiC: métodos, usos e desafíos Dúas obleas poden parecer perfectamente planas e aínda así negarse a unirse de forma fiable. Na escala que importa, a química da superficie, a rugosidade atómica, as partículas e os gases atrapados deciden se o contacto se converte nunha interface duradeira. O carburo de silicio aumenta a dificultade...Ler máis -
Corte personalizado de pequenas obleas rectangulares de silicio: como unha empresa de óptica holandesa equilibrou a baixa astilladura e a baixa rugosidade para 10 obleas non estándar
Resumo principal: Unha empresa derivada de investigación óptica holandesa encargou 10 obleas de silicio rectangulares personalizadas, de 29,2 mm × 70 mm e 230 µm de grosor, solicitando inicialmente unha rugosidade superficial de 0,1 nm sen desconchado nos bordos despois do corte. Tras a avaliación, o equipo técnico determinou que estas dúas...Ler máis -
Que é un susceptor de grafito revestido de SiC?
Na industria dos semicondutores, que evoluciona con rapidez —impulsada polo auxe dos dispositivos de potencia de banda ancha (WBG), as comunicacións RF 5G e a optoelectrónica avanzada—, é fundamental lograr unha pureza ultraalta e unha uniformidade precisa da capa atómica durante o crecemento do cristal. En Semicera, especializámonos en materiais de alto rendemento...Ler máis -
Proceso de revestimento CVD: unha análise en profundidade dos principios, aplicacións e evolución futura
En medio do crecemento explosivo da fabricación de semicondutores a nanoescala e semicondutores compostos (como SiC e GaN), existe un "heroe descoñecido" a miúdo pasado por alto que determina o rendemento do chip e a vida útil do equipo: o proceso de revestimento por deposición química de vapor (CVD). O proceso de revestimento CVD...Ler máis -
Caixa de personalización de película fina de AlN baseada en silicio de 6 polgadas: como resolveu o MOCVD o problema da fisuración por tensión heteroepitaxial?
Resumo: De 500 nm a 100 nm, entregado segundo as especificacións nunha soa pasada en 3-4 semanas Conclusión principal: O que o cliente quería orixinalmente era unha película de 500 nm de grosor. O que finalmente entregamos foi unha solución de 100 nm validada e con control de riscos; o obxectivo deste caso non é só cumprir unhas especificacións, senón...Ler máis -
Como funciona o MOCVD? Unha guía para a deposición de películas finas a nivel atómico
Ⅰ. Introdución Os dispositivos semicondutores modernos son cada vez máis potentes, máis pequenos e máis eficientes enerxeticamente. Detrás de moitas destas innovacións hai unha tecnoloxía de fabricación altamente sofisticada que permite aos enxeñeiros construír materiais semicondutores capa por capa a escala atómica: Met...Ler máis -
Po de carburo de silicio de alta pureza: que é e por que é importante
Introdución A medida que as tecnoloxías de semicondutores continúan avanzando cara a un funcionamento a maior tensión, maior frecuencia e maior temperatura, o carburo de silicio (SiC) converteuse nun dos materiais semicondutores de banda ancha máis importantes para os dispositivos electrónicos de próxima xeración. Non obstante, o rendemento...Ler máis -
Que é o carbono composto de carbono CFC? Propiedades, aplicacións e vantaxes na fabricación de semicondutores
O composto de carbono-carbono, tamén coñecido como composto C/C ou composto de carbono reforzado con fibra de carbono, é un material de carbono avanzado que consiste en fibras de carbono incrustadas nunha matriz de carbono. A diferenza dos materiais de grafito tradicionais, o CFC combina as excelentes propiedades térmicas do carbono coa mecánica...Ler máis -
Por que é fundamental o disco planetario de carburo de tántalo para a epitaxia de semicondutores modernos?
A medida que a tecnoloxía dos semicondutores continúa a avanzar cara a tamaños de obleas máis grandes, temperaturas de proceso máis altas e un control da contaminación máis estrito, os requisitos de rendemento para os compoñentes do reactor volvéronse cada vez máis esixentes. Entre estes compoñentes críticos, o disco planetario de carburo de tántalo (TaC)...Ler máis -
Que fai que os crisois de cuarzo fundido sexan esenciais para o crecemento de cristais semicondutores modernos?
O avance continuo da tecnoloxía dos semicondutores impuxo esixencias cada vez máis rigorosas sobre a pureza do material, a estabilidade térmica e a consistencia do proceso. Aínda que a miúdo se presta moita atención aos extractores de cristais, aos reactores de epitaxia e aos equipos de deposición, un dos compoñentes máis fundamentais...Ler máis -
Por que son os quentadores de grafito semicondutor críticos para o crecemento de cristais de SiC e os procesos de epitaxia?
A medida que a industria dos semicondutores continúa a transición cara a dispositivos lóxicos avanzados, semicondutores de potencia, semicondutores compostos e materiais de banda ancha, as temperaturas de proceso están a achegarse aos límites dos materiais de enxeñaría tradicionais. Desde o crecemento do cristal de silicio e os procesos de difusión...Ler máis -
Por que os crisois de cuarzo fundido son fundamentais para o proceso de crecemento do cristal de silicio Czochralski (CZ)
Na fabricación moderna de semicondutores, o rendemento dos circuítos integrados comeza moito antes da fabricación das obleas. Comeza durante a etapa de crecemento do cristal, onde se producen lingotes de silicio monocristalino de ultra alta pureza mediante o proceso Czochralski (CZ). No corazón deste proceso hai un...Ler máis