A industria de semicondutores está a asistir a un crecemento sen precedentes, especialmente no ámbito dacarburo de silicio (SiC)electrónica de potencia. Con moitos a gran escalahostiafábricas en construción ou expansión para satisfacer a crecente demanda de dispositivos SiC en vehículos eléctricos, este boom presenta notables oportunidades de crecemento dos beneficios. Non obstante, tamén presenta desafíos únicos que demandan solucións innovadoras.
No corazón do aumento da produción global de chips de SiC atópase a fabricación de cristais, obleas e capas epitaxiais de SiC de alta calidade. Aquí,grafito de grao semiconductorOs materiais xogan un papel fundamental, facilitando o crecemento dos cristais de SiC e a deposición de capas epitaxiais de SiC. O illamento térmico e a inercia do grafito convérteno nun material preferido, moi utilizado en crisols, pedestais, discos planetarios e satélites dentro dos sistemas de crecemento de cristais e epitaxia. Non obstante, as duras condicións do proceso supoñen un desafío importante, levando a unha rápida degradación dos compoñentes de grafito e, posteriormente, dificultando a produción de cristais de SiC de alta calidade e capas epitaxiais.
A produción de cristais de carburo de silicio implica condicións de proceso extremadamente duras, incluíndo temperaturas superiores a 2000 °C e substancias gaseosas altamente corrosivas. Isto adoita producir a corrosión completa dos crisols de grafito despois de varios ciclos de proceso, co que aumenta os custos de produción. Ademais, as duras condicións alteran as propiedades da superficie dos compoñentes de grafito, comprometendo a repetibilidade e estabilidade do proceso de produción.
Para combater estes desafíos de forma eficaz, a tecnoloxía de revestimento protector emerxeu como un cambio de xogo. Revestimentos protectores a base decarburo de tantalio (TaC)introducíronse para abordar os problemas da degradación dos compoñentes de grafito e a escaseza de subministración de grafito. Os materiais TaC presentan unha temperatura de fusión superior a 3800 °C e unha resistencia química excepcional. Aproveitando a tecnoloxía de deposición química de vapor (CVD),Revestimentos TaCcun espesor de ata 35 milímetros pódese depositar sen problemas en compoñentes de grafito. Esta capa protectora non só mellora a estabilidade do material, senón que tamén prolonga significativamente a vida útil dos compoñentes de grafito, reducindo os custos de produción e mellorando a eficiencia operativa.
Semicera, un provedor líder deRevestimentos TaC, foi fundamental para revolucionar a industria dos semicondutores. Coa súa tecnoloxía de punta e o seu compromiso inquebrantable coa calidade, Semicera permitiu aos fabricantes de semicondutores superar desafíos críticos e acadar novas alturas de éxito. Ao ofrecer revestimentos TaC cun rendemento e fiabilidade incomparables, Semicera consolidou a súa posición como socio de confianza para empresas de semicondutores en todo o mundo.
En conclusión, tecnoloxía de revestimento protector, impulsada por innovacións comoRevestimentos TaCde Semicera, está remodelando o panorama dos semicondutores e preparando o camiño para un futuro máis eficiente e sostible.
Hora de publicación: 16-maio-2024