-
Que é un portador de obleas RTP?
Comprender o seu papel na fabricación de semicondutores Explorar o papel esencial dos portadores de obleas RTP no procesamento avanzado de semicondutores No mundo da fabricación de semicondutores, a precisión e o control son fundamentais para producir dispositivos de alta calidade que alimentan a electrónica moderna. Un dos...Ler máis -
Que é un Epi Carrier?
Explorando o seu papel crucial no procesamento de obleas epitaxiais Comprensión da importancia dos portadores de epi na fabricación avanzada de semicondutores Na industria de semicondutores, a produción de obleas epitaxiais (epi) de alta calidade é un paso crítico na fabricación de dispositivos como transistores, díodos...Ler máis -
Proceso e equipamento de semicondutores (1/7) - Proceso de fabricación de circuítos integrados
1.Sobre os circuítos integrados 1.1 O concepto e o nacemento dos circuítos integrados Circuito integrado (CI): refírese a un dispositivo que combina dispositivos activos como transistores e díodos con compoñentes pasivos como resistencias e capacitores mediante unha serie de técnicas de procesamento específicas...Ler máis -
Que é un transportador Epi Pan?
A industria de semicondutores depende de equipos altamente especializados para producir dispositivos electrónicos de alta calidade. Un destes compoñentes críticos no proceso de crecemento epitaxial é o portador epi pan. Este equipo xoga un papel fundamental na deposición de capas epitaxiais sobre obleas semicondutores, o que supón...Ler máis -
Que é o susceptor MOCVD?
A deposición de vapor químico metal-orgánico (MOCVD) é un proceso crucial na industria de semicondutores, onde se depositan películas finas de alta calidade sobre substratos. Un compoñente clave do proceso MOCVD é o susceptor, un elemento vital que xoga un papel fundamental para garantir a uniformidade e calidade...Ler máis -
Que é o revestimento de SiC?
Os revestimentos de carburo de silicio (SiC) estanse facendo rapidamente esenciais en varias aplicacións de alto rendemento debido ás súas notables propiedades físicas e químicas. Aplicados a través de técnicas como a deposición física ou química en vapor (CVD) ou métodos de pulverización, os revestimentos de SiC transforman a superficie...Ler máis -
Que é o MOCVD Wafer Carrier?
No campo da fabricación de semicondutores, a tecnoloxía MOCVD (Metal Organic Chemical Vapor Deposition) está a converterse rapidamente nun proceso clave, sendo o MOCVD Wafer Carrier un dos seus compoñentes principais. Os avances en MOCVD Wafer Carrier non só se reflicten no seu proceso de fabricación senón que...Ler máis -
Que é o carburo de tantalio?
O carburo de tántalo (TaC) é un composto binario de tántalo e carbono coa fórmula química TaC x, onde x adoita variar entre 0,4 e 1. Son materiais cerámicos extremadamente duros, quebradizos e refractarios con condutividade metálica. Son po marrón-gris e somos nós...Ler máis -
que é o carburo de tántalo
O carburo de tantalio (TaC) é un material cerámico de temperatura ultra alta con resistencia a altas temperaturas, alta densidade e alta compacidade; alta pureza, contido de impurezas <5PPM; e inercia química ao amoníaco e ao hidróxeno a altas temperaturas, e boa estabilidade térmica. O chamado ultra-alto...Ler máis -
Que é a epitaxia?
A maioría dos enxeñeiros non están familiarizados coa epitaxia, que xoga un papel importante na fabricación de dispositivos semicondutores. A epitaxia pódese usar en diferentes produtos de chip, e diferentes produtos teñen diferentes tipos de epitaxia, incluíndo epitaxia Si, epitaxia SiC, epitaxia GaN, etc. Que é a epitaxia? A epitaxia é...Ler máis -
Cales son os parámetros importantes do SiC?
O carburo de silicio (SiC) é un importante material semicondutor de banda ampla amplamente utilizado en dispositivos electrónicos de alta potencia e alta frecuencia. Os seguintes son algúns dos parámetros clave das obleas de carburo de silicio e as súas explicacións detalladas: Parámetros de celosía: asegúrese de que o ...Ler máis -
Por que hai que enrolar o silicio monocristalino?
A laminación refírese ao proceso de moer o diámetro exterior dunha varilla de cristal único de silicio nunha varilla de cristal único do diámetro necesario mediante unha moa de diamante e moer unha superficie de referencia de bordo plano ou ranura de posicionamento da varilla de cristal único. O diámetro exterior da superficie...Ler máis