Método PART/1CVD (deposición química en vapor): a 900-2300 ℃, utilizando TaCl5 e CnHm como fontes de tántalo e carbono, H₂ como atmosfera redutora, gas portador Ar₂as, película de deposición de reacción.O revestimento preparado é compacto, uniforme e de alta pureza.Non obstante, hai algúns problemas...
Le máis