Como producimos os pasos de procesamento dos substratos de SiC son os seguintes:
1. Orientación do cristal:
Usando a difracción de raios X para orientar o lingote de cristal. Cando un feixe de raios X se dirixe á cara de cristal desexada, o ángulo do feixe difractado determina a orientación do cristal.
2. Moenda do diámetro exterior:
Os cristais sinxelos cultivados en crisols de grafito adoitan exceder os diámetros estándar. A moenda do diámetro exterior redúceos a tamaños estándar.
3.Final de rectificado facial:
Os substratos 4H-SiC de 4 polgadas normalmente teñen dous bordos de posicionamento, o primario e o secundario. O rectificado da cara final abre estes bordos de posicionamento.
4. Serra de fío:
O corte de fío é un paso crucial no procesamento de substratos 4H-SiC. As gretas e os danos subterráneos causados durante o corte de fío afectan negativamente aos procesos posteriores, prolongando o tempo de procesamento e provocando perdas de material. O método máis común é o serrado multi-fíos con abrasivo de diamante. Para cortar o lingote 4H-SiC úsase un movemento alternativo de fíos metálicos unidos con abrasivos de diamante.
5. Achaflanado:
Para evitar o astillamento dos bordos e reducir as perdas de consumibles durante os procesos posteriores, os bordos afiados das lascas aserradas con fío son achaflanados a unhas formas especificadas.
6. Adelgazamento:
O corte de fío deixa moitos arañazos e danos subterráneos. O adelgazamento realízase mediante rodas de diamante para eliminar estes defectos na medida do posible.
7. Moenda:
Este proceso inclúe moenda en bruto e moenda fina utilizando abrasivos de carburo de boro ou diamante de menor tamaño para eliminar os danos residuais e os novos danos introducidos durante o aclareo.
8. Pulido:
Os pasos finais implican pulido áspero e pulido fino usando abrasivos de alúmina ou óxido de silicio. O líquido de pulido suaviza a superficie, que despois é eliminada mecánicamente mediante abrasivos. Este paso garante unha superficie lisa e non danada.
9. Limpeza:
Eliminación de partículas, metais, películas de óxido, residuos orgánicos e outros contaminantes que quedan dos pasos de procesamento.
Hora de publicación: 15-maio-2024