No ámbito da fabricación de semicondutores, oPadel SiCdesempeña un papel crucial, especialmente no proceso de crecemento epitaxial. Como compoñente clave utilizado enMOCVDsistemas (deposición de vapor químico orgánico metálico),Palas SiCestán deseñados para soportar altas temperaturas e ambientes químicamente duros, o que os fai indispensables para a fabricación avanzada. En Semicera, estamos especializados na produción de alto rendementoPalas SiCdeseñado para ambosSi epitaxiaeEpitaxia SiC, ofrecendo unha durabilidade e estabilidade térmica excepcional.
O uso de paletas de SiC é particularmente frecuente en procesos como o crecemento epitaxial, onde o substrato necesita condicións térmicas e químicas precisas. Os nosos produtos Semicera garanten un rendemento óptimo en ambientes que requiren aSusceptor MOCVD, onde se depositan capas de carburo de silicio de alta calidade sobre substratos. Isto contribúe a mellorarhostiacalidade e maior eficiencia do dispositivo na produción de semicondutores.
SemiceraPalas SiCnon só están deseñados paraSi epitaxiapero tamén adaptado para outras aplicacións críticas. Por exemplo, son compatibles con PSS Etching Carriers, esenciais na produción de obleas LED, ePortadores de grabado ICP, onde é necesario un control iónico preciso para dar forma ás obleas. Estas paletas son integrantes de sistemas comoPortadores RTP(Rapid Thermal Processing), onde a necesidade de transicións de temperatura rápidas e alta condutividade térmica é primordial.
Ademais, as paletas de SiC serven como susceptores epitaxiais LED, facilitando o crecemento de obleas LED de alta eficiencia. A capacidade de manexar diferentes tensións térmicas e ambientais fainos moi versátiles en diferentes procesos de fabricación de semicondutores.
En xeral, Semicera comprométese a ofrecer paletas de SiC que cumpran os requisitos esixentes da fabricación moderna de semicondutores. Desde a epitaxia SiC ata os susceptores MOCVD, as nosas solucións garanten unha fiabilidade e un rendemento mellorados, atendendo ás demandas de vangarda da industria.
Hora de publicación: 07-09-2024