No campo actual da tecnoloxía electrónica, os materiais semicondutores xogan un papel crucial.Entre eles, o carburo de silicio (SiC) como un material semicondutor de banda ampla, coas súas excelentes vantaxes de rendemento, como un campo eléctrico de alta ruptura, alta velocidade de saturación, alta condutividade térmica, etc., estase facendo gradualmente no foco de investigadores e enxeñeiros.O disco epitaxial de carburo de silicio, como parte importante do mesmo, mostrou un gran potencial de aplicación.
一、Rendemento do disco epitaxial: todas as vantaxes
1. Campo eléctrico de ruptura ultra-alta: en comparación cos materiais tradicionais de silicio, o campo eléctrico de ruptura do carburo de silicio é máis de 10 veces.Isto significa que nas mesmas condicións de tensión, os dispositivos electrónicos que utilizan discos epitaxiais de carburo de silicio poden soportar correntes máis altas, creando así dispositivos electrónicos de alta tensión, alta frecuencia e alta potencia.
2. Velocidade de saturación de alta velocidade: a velocidade de saturación do carburo de silicio é máis de 2 veces a do silicio.Operando a alta temperatura e alta velocidade, o disco epitaxial de carburo de silicio funciona mellor, o que mellora significativamente a estabilidade e fiabilidade dos dispositivos electrónicos.
3. Condutividade térmica de alta eficiencia: a condutividade térmica do carburo de silicio é máis de 3 veces a do silicio.Esta función permite que os dispositivos electrónicos disipen mellor a calor durante o funcionamento continuo de alta potencia, evitando así o superenriquecido e mellorando a seguridade do dispositivo.
4. Excelente estabilidade química: en ambientes extremos como alta temperatura, alta presión e forte radiación, o rendemento do carburo de silicio aínda é estable como antes.Esta característica permite que o disco epitaxial de carburo de silicio manteña un excelente rendemento ante ambientes complexos.
二、proceso de fabricación: coidadosamente tallado
Os principais procesos para a fabricación do disco epitaxial SIC inclúen a deposición física de vapor (PVD), a deposición química de vapor (CVD) e o crecemento epitaxial.Cada un destes procesos ten as súas propias características e require un control preciso de varios parámetros para conseguir os mellores resultados.
1. Proceso PVD: mediante evaporación ou pulverización catódica e outros métodos, o obxectivo de SiC deposítase no substrato para formar unha película.A película preparada por este método ten unha pureza elevada e unha boa cristalinidade, pero a velocidade de produción é relativamente lenta.
2. Proceso CVD: ao rachar o gas fonte de carburo de silicio a alta temperatura, deposítase sobre o substrato para formar unha película delgada.O grosor e a uniformidade da película preparada por este método son controlables, pero a pureza e a cristalinidade son pobres.
3. Crecemento epitaxial: crecemento da capa epitaxial de SiC sobre silicio monocristalino ou outros materiais monocristalinos mediante o método de deposición química de vapor.A capa epitaxial preparada por este método ten unha boa coincidencia e un excelente rendemento co material do substrato, pero o custo é relativamente alto.
三、Perspectiva de aplicación: iluminar o futuro
Co desenvolvemento continuo da tecnoloxía electrónica de potencia e a crecente demanda de dispositivos electrónicos de alto rendemento e alta fiabilidade, o disco epitaxial de carburo de silicio ten unha ampla perspectiva de aplicación na fabricación de dispositivos semicondutores.É amplamente utilizado na fabricación de dispositivos semicondutores de alta frecuencia de alta potencia, como interruptores electrónicos de potencia, inversores, rectificadores, etc. Ademais, tamén se usa en células solares, LED e outros campos.
Coas súas vantaxes de rendemento únicas e a mellora continua do proceso de fabricación, o disco epitaxial de carburo de silicio está mostrando gradualmente o seu gran potencial no campo dos semicondutores.Temos motivos para crer que no futuro da ciencia e da tecnoloxía, terá un papel máis importante.
Hora de publicación: 28-nov-2023