【 Descrición resumida 】 Nos modernos C, N, B e outras materias primas refractarias de alta tecnoloxía sen óxido, sinterizado a presión atmosféricacarburo de silicioé extensa e económica, e pódese dicir que é area esmeril ou refractaria.Purocarburo de silicioé un cristal transparente incoloro.Entón, cal é a estrutura e características do materialcarburo de silicio?
Estrutura do material de presión atmosférica sinterizadacarburo de silicio:
A presión atmosférica sinterizadacarburo de siliciousado na industria é amarelo claro, verde, azul e negro segundo o tipo e contido de impurezas, e a pureza é diferente e a transparencia é diferente.A estrutura cristalina de carburo de silicio divídese en plutonio de seis palabras ou en forma de diamante e plutonio cúbico-sic.O plutonio-sic forma unha variedade de deformacións debido á diferente orde de apilado dos átomos de carbono e silicio na estrutura cristalina, e atopáronse máis de 70 tipos de deformación.beta-SIC convértese en alfa-SIC por riba de 2100. O proceso industrial de carburo de silicio refírase con area de cuarzo de alta calidade e coque de petróleo nun forno de resistencia.Os bloques de carburo de silicio refinados son triturados, limpando a base de ácidos, separando magnéticamente, cribando ou seleccionando auga para producir unha variedade de produtos de tamaño de partícula.
Características materiais da presión atmosféricacarburo de silicio sinterizado:
O carburo de silicio ten unha boa estabilidade química, condutividade térmica, coeficiente de expansión térmica, resistencia ao desgaste, polo que, ademais do uso abrasivo, hai moitos usos: por exemplo, o po de carburo de silicio está revestido na parede interna do impulsor da turbina ou do bloque de cilindros con un proceso especial, que pode mellorar a resistencia ao desgaste e prolongar a vida útil de 1 a 2 veces.Feito de resistente á calor, tamaño pequeno, peso lixeiro, alta resistencia de materiais refractarios de alta calidade, a eficiencia enerxética é moi boa.O carburo de silicio de baixa calidade (incluíndo preto do 85% de SiC) é un excelente desoxidante para aumentar a velocidade de fabricación de aceiro e controlar facilmente a composición química para mellorar a calidade do aceiro.Ademais, o carburo de silicio sinterizado a presión atmosférica tamén se usa amplamente na fabricación de pezas eléctricas de varillas de carbono de silicio.
O carburo de silicio é moi duro.A dureza Morse é de 9,5, superada só por diamante duro do mundo (10), é un semicondutor cunha excelente condutividade térmica, pode resistir a oxidación a altas temperaturas.O carburo de silicio ten polo menos 70 tipos cristalinos.O carburo de plutonio-silicio é un isómero común que se forma a temperaturas superiores a 2000 e ten unha estrutura cristalina hexagonal (semellante á wurtzita).Carburo de silicio sinterizado a presión atmosférica
Aplicación decarburo de siliciona industria de semicondutores
A cadea da industria de semicondutores de carburo de silicio inclúe principalmente po de alta pureza de carburo de silicio, substrato monocristal, folla epitaxial, compoñentes de enerxía, embalaxe de módulos e aplicacións terminais.
1. Substrato de cristal único O substrato de cristal único é un material de soporte de semicondutores, material condutor e substrato de crecemento epitaxial.Na actualidade, os métodos de crecemento do monocristal SiC inclúen o método de transferencia física de vapor (método PVT), o método en fase líquida (método LPE) e o método de deposición química de vapor a alta temperatura (método HTCVD).Carburo de silicio sinterizado a presión atmosférica
2. Folla epitaxial Folla epitaxial de carburo de silicio, folla de carburo de silicio, película de cristal único (capa epitaxial) coa mesma dirección que o cristal substrato que ten certos requisitos para o substrato de carburo de silicio.En aplicacións prácticas, os dispositivos semicondutores de banda ampla están fabricados case todos na capa epitaxial, e o propio chip de silicio só se usa como substrato, incluído o substrato da capa epitaxial de GaN.
3. Po de carburo de silicio de alta pureza O po de carburo de silicio de alta pureza é a materia prima para o crecemento do monocristal de carburo de silicio polo método PVT, e a pureza do produto afecta directamente a calidade do crecemento e as características eléctricas do monocristal de carburo de silicio.
4. O dispositivo de potencia é unha potencia de banda ancha feita de material de carburo de silicio, que ten as características de alta temperatura, alta frecuencia e alta eficiencia.Segundo a forma de funcionamento do dispositivo, o dispositivo de fonte de alimentación SiC inclúe principalmente un díodo de alimentación e un tubo de interruptor de alimentación.
5. Terminal Nas aplicacións de semicondutores de terceira xeración, os semicondutores de carburo de silicio teñen a vantaxe de ser complementarios aos semicondutores de nitruro de galio.Debido á alta eficiencia de conversión, as características de calefacción baixas, o peso lixeiro e outras vantaxes dos dispositivos SiC, a demanda da industria posterior segue a aumentar e hai unha tendencia a substituír os dispositivos SiO2.
Hora de publicación: 16-Oct-2023