Na actualidade, os métodos de preparación do revestimento de SiC inclúen principalmente o método de xel-sol, o método de incrustación, o método de revestimento con pincel, o método de pulverización de plasma, o método de reacción química de gas (CVR) e o método de deposición química de vapor (CVD).
Método de incorporación:
O método é unha especie de sinterización en fase sólida a alta temperatura, que utiliza principalmente a mestura de po Si e po C como po de incrustación, a matriz de grafito colócase no po de incrustación e a sinterización a alta temperatura realízase no gas inerte. , e finalmente obtense o revestimento de SiC na superficie da matriz de grafito.O proceso é sinxelo e a combinación entre o revestimento e o substrato é boa, pero a uniformidade do revestimento ao longo da dirección do espesor é pobre, o que é fácil de producir máis buratos e leva a unha escasa resistencia á oxidación.
Método de revestimento con pincel:
O método de revestimento con pincel consiste principalmente en cepillar a materia prima líquida na superficie da matriz de grafito e, a continuación, curar a materia prima a certa temperatura para preparar o revestimento.O proceso é sinxelo e o custo é baixo, pero o revestimento preparado mediante o método de revestimento con pincel é débil en combinación co substrato, a uniformidade do revestimento é pobre, o revestimento é fino e a resistencia á oxidación é baixa e son necesarios outros métodos para axudar. iso.
Método de pulverización de plasma:
O método de pulverización de plasma consiste principalmente en pulverizar materias primas derretidas ou semifundidas sobre a superficie da matriz de grafito cunha pistola de plasma, e despois solidificar e unir para formar un revestimento.O método é sinxelo de operar e pode preparar un revestimento de carburo de silicio relativamente denso, pero o revestimento de carburo de silicio preparado polo método adoita ser demasiado débil e leva a unha débil resistencia á oxidación, polo que adoita ser usado para a preparación do revestimento composto de SiC para mellorar. a calidade do revestimento.
Método gel-sol:
O método xel-sol consiste principalmente en preparar unha solución de sol uniforme e transparente que cobre a superficie da matriz, secando nun xel e despois sinterizando para obter un revestimento.Este método é sinxelo de operar e de baixo custo, pero o revestimento producido ten algunhas deficiencias, como unha baixa resistencia ao choque térmico e unha fácil rachadura, polo que non se pode usar amplamente.
Reacción química dos gases (CVR):
CVR xera principalmente un revestimento de SiC mediante o uso de Si e SiO2 en po para xerar vapor de SiO a alta temperatura, e unha serie de reaccións químicas ocorren na superficie do substrato do material C.O revestimento de SiC preparado por este método está estreitamente unido ao substrato, pero a temperatura de reacción é maior e o custo é maior.
Deposición química en vapor (CVD):
Na actualidade, o CVD é a principal tecnoloxía para preparar o revestimento de SiC na superficie do substrato.O proceso principal é unha serie de reaccións físicas e químicas do material reactivo en fase gaseosa na superficie do substrato e, finalmente, o revestimento de SiC prepárase por deposición na superficie do substrato.O revestimento de SiC preparado pola tecnoloxía CVD está estreitamente unido á superficie do substrato, o que pode mellorar eficazmente a resistencia á oxidación e a resistencia ablativa do material do substrato, pero o tempo de deposición deste método é máis longo e o gas de reacción ten un certo tóxico. gas.
Hora de publicación: 06-nov-2023