Como un dos compoñentes fundamentais deEquipo MOCVD, a base de grafito é o portador e o corpo de calefacción do substrato, o que determina directamente a uniformidade e pureza do material da película, polo que a súa calidade afecta directamente á preparación da folla epitaxial e, ao mesmo tempo, co aumento do número de usos e o cambio das condicións de traballo, é moi fácil de levar, pertencente aos consumibles.
Aínda que o grafito ten unha excelente condutividade térmica e estabilidade, ten unha boa vantaxe como compoñente baseEquipo MOCVD, pero no proceso de produción, o grafito corroerá o po debido aos residuos de gases corrosivos e orgánicos metálicos, e a vida útil da base de grafito reducirase moito.Ao mesmo tempo, a caída do po de grafito causará contaminación do chip.
A aparición da tecnoloxía de revestimento pode proporcionar fixación de po de superficie, mellorar a condutividade térmica e igualar a distribución da calor, que se converteu na tecnoloxía principal para resolver este problema.Base de grafito enEquipo MOCVDambiente de uso, o revestimento superficial de base de grafito debe cumprir as seguintes características:
(1) A base de grafito pódese envolver completamente e a densidade é boa, se non, a base de grafito é fácil de corroer no gas corrosivo.
(2) A resistencia combinada coa base de grafito é alta para garantir que o revestimento non se desprenda facilmente despois de varios ciclos de alta e baixa temperatura.
(3) Ten unha boa estabilidade química para evitar fallos do revestimento en alta temperatura e atmosfera corrosiva.
SiC ten as vantaxes de resistencia á corrosión, alta condutividade térmica, resistencia ao choque térmico e alta estabilidade química, e pode funcionar ben na atmosfera epitaxial de GaN.Ademais, o coeficiente de expansión térmica do SiC difire moi pouco do do grafito, polo que o SiC é o material preferido para o revestimento superficial da base de grafito.
Na actualidade, o SiC común é principalmente do tipo 3C, 4H e 6H, e os usos de SiC dos diferentes tipos de cristais son diferentes.Por exemplo, 4H-SiC pode fabricar dispositivos de alta potencia;6H-SiC é o máis estable e pode fabricar dispositivos fotoeléctricos;Debido á súa estrutura similar ao GaN, o 3C-SiC pódese usar para producir a capa epitaxial de GaN e fabricar dispositivos de RF SiC-GaN.3C-SiC tamén se coñece comúnmente comoβ-SiC, e un uso importante deβ-SiC é como película e material de revestimento, polo tantoβ-O SiC é actualmente o principal material para o revestimento.
Hora de publicación: 06-nov-2023