Obleas de carburo de silicio semicondutor (SiC), este novo material xurdiu gradualmente nos últimos anos, coas súas propiedades físicas e químicas únicas, inxectou unha nova vitalidade para a industria de semicondutores.As obleas de SiC, que utilizan monocristais como materias primas, son coidadosamente cultivadas mediante deposición química en vapor (CVD), e o seu aspecto ofrece posibilidades para a fabricación de dispositivos electrónicos de alta temperatura, alta frecuencia e alta potencia.
No campo da electrónica de potencia, as obleas de SiC utilízanse na fabricación de conversores de enerxía, cargadores, fontes de alimentación e outros produtos de alta eficiencia.No campo da comunicación, úsase para fabricar dispositivos de RF de alta frecuencia e alta velocidade e dispositivos optoelectrónicos, poñendo unha pedra angular sólida para a estrada da era da información.No campo da electrónica do automóbil, as obleas de SiC crean dispositivos electrónicos automotivos de alta tensión e altamente fiables para escoltar a seguridade da condución do condutor.
Co progreso continuo da tecnoloxía, a tecnoloxía de produción de obleas de SiC é cada vez máis madura e o prezo está a diminuír gradualmente.Este novo material mostra un gran potencial para mellorar o rendemento do dispositivo, reducir o consumo de enerxía e mellorar a competitividade dos produtos.De cara ao futuro, as obleas de SiC terán un papel máis importante na industria de semicondutores, aportando máis comodidade e seguridade ás nosas vidas.
Agardemos a esta brillante estrela de semicondutores: oblea de SiC, para o futuro do progreso científico e tecnolóxico para describir un capítulo máis brillante.
Hora de publicación: 27-novembro-2023