Substrato 4H-SiC tipo P de 2~6 polgadas a 4°

Os substratos 4H-SiC de tipo P de 2 ~ 6 polgadas e 4° fóra de ángulo de Semicera están deseñados para satisfacer as crecentes necesidades dos fabricantes de dispositivos de RF e potencia de alto rendemento. A orientación fóra do ángulo de 4 ° garante un crecemento epitaxial optimizado, facendo deste substrato unha base ideal para unha variedade de dispositivos semicondutores, incluíndo MOSFET, IGBT e díodos.

Este substrato 4H-SiC tipo P de 2 ~ 6 polgadas e 4° ten excelentes propiedades do material, incluíndo unha alta condutividade térmica, un excelente rendemento eléctrico e unha excelente estabilidade mecánica. A orientación fóra do ángulo axuda a reducir a densidade de microtubos e promove capas epitaxiais máis suaves, o que é fundamental para mellorar o rendemento e a fiabilidade do dispositivo semicondutor final.

Os substratos 4H-SiC de tipo P de 2 ~ 6 polgadas e 4 ° fóra do ángulo de Semicera están dispoñibles nunha variedade de diámetros, que van desde 2 polgadas ata 6 polgadas, para satisfacer diferentes requisitos de fabricación. Os nosos substratos están deseñados con precisión para proporcionar niveis de dopaxe uniformes e características de superficie de alta calidade, garantindo que cada oblea cumpra as especificacións rigorosas necesarias para aplicacións electrónicas avanzadas.

O compromiso de Semicera coa innovación e a calidade garante que os nosos substratos 4H-SiC tipo P de 2 ~ 6 polgadas e 4° ofrecen un rendemento consistente nunha ampla gama de aplicacións, desde electrónica de potencia ata dispositivos de alta frecuencia. Este produto ofrece unha solución fiable para a próxima xeración de semicondutores de alto rendemento e eficientes enerxéticamente, apoiando os avances tecnolóxicos en industrias como a automoción, as telecomunicacións e as enerxías renovables.