Estrutura de barril de recubrimento de SiC para susceptor de barril

Descrición curta:

Semicera ofrece unha ampla gama de susceptores e compoñentes de grafito deseñados para varios reactores de epitaxia.

A través de asociacións estratéxicas con OEM líderes da industria, ampla experiencia en materiais e capacidades de fabricación avanzadas, Semicera ofrece deseños personalizados para satisfacer os requisitos específicos da súa aplicación.O noso compromiso coa excelencia garante que reciba solucións óptimas para as súas necesidades do reactor de epitaxia.

 


Detalle do produto

Etiquetas de produtos

A nosa empresa ofreceRevestimento de SiCservizos de procesamento na superficie de grafito, cerámica e outros materiais mediante o método CVD, de xeito que os gases especiais que conteñen carbono e silicio poidan reaccionar a altas temperaturas para obter moléculas Sic de alta pureza, que poden depositarse na superficie dos materiais revestidos para formar unCapa protectora de SiCpara epitaxia tipo barril hipnótico.

 

Principais características:

1 .Grafito revestido de SiC de alta pureza

2. Resistencia á calor superior e uniformidade térmica

3. BenRevestimento de cristal SiCpara unha superficie lisa

4. Alta durabilidade fronte á limpeza química

 
硅外延2-Si Partes epitaxiais

 Especificacións principais deRevestimento CVD-SIC

Propiedades SiC-CVD

Estrutura cristalina Fase β de FCC
Densidade g/cm³ 3.21
Dureza Dureza Vickers 2500
Tamaño do gran μm 2~10
Pureza Química % 99,99995
Capacidade calorífica J·kg-1 ·K-1 640
Temperatura de sublimación 2700
Forza felexural MPa (RT de 4 puntos) 415
Módulo de Young Gpa (cobra de 4 puntos, 1300 ℃) 430
Expansión térmica (CTE) 10-6K-1 4.5
Condutividade térmica (W/mK) 300
2--cvd-sic-pureza---99-99995-_60366
5----sic-crystal_242127
Lugar de traballo Semicera
Lugar de traballo semicera 2
Máquina de equipamento
Procesamento CNN, limpeza química, revestimento CVD
O noso servizo

  • Anterior:
  • Seguinte: