Portador de grafito revestido de SiC de longa vida útil para obleas solares

Descrición curta:

O carburo de silicio é un novo tipo de cerámica con alto custo e excelentes propiedades do material.Debido a características como a alta resistencia e dureza, resistencia a altas temperaturas, gran condutividade térmica e resistencia á corrosión química, o carburo de silicio pode soportar case todos os medios químicos.Polo tanto, o SiC úsase amplamente na minería de petróleo, na química, na maquinaria e no espazo aéreo, incluso a enerxía nuclear e os militares teñen as súas demandas especiais sobre o SIC.Algunhas aplicacións normais que podemos ofrecer son aneis de selado para bomba, válvula e armadura protectora, etc.


Detalle do produto

Etiquetas de produtos

Vantaxes

Resistencia á oxidación a alta temperatura
Excelente resistencia á corrosión
Boa resistencia á abrasión
Alto coeficiente de condutividade térmica
Autolubricidade, baixa densidade
Alta dureza
Deseño personalizado.

HGF (2)
HGF (1)

Aplicacións

-Campo resistente ao desgaste: casquillo, placa, boquilla de chorro de area, revestimento de ciclón, barril de moenda, etc...
-Campo de alta temperatura: lousa de siC, tubo de forno de extinción, tubo radiante, crisol, elemento de calefacción, rolo, viga, intercambiador de calor, tubo de aire frío, boquilla do queimador, tubo de protección de termopar, barco de SiC, estrutura do coche do forno, colocador, etc.
-Semicondutor de carburo de silicio: barco de obleas de SiC, mandril de sic, paleta de sic, casete de sic, tubo de difusión de sic, garfo de oblea, placa de succión, guía, etc.
-Campo de selado de carburo de silicio: todo tipo de aneis de selado, rodamentos, casquillos, etc.
-Campo fotovoltaico: paleta cantilever, barril de moenda, rolo de carburo de silicio, etc.
- Campo de batería de litio

OBLEA (1)

OBLEA (2)

Propiedades físicas do SiC

Propiedade Valor Método
Densidade 3,21 g/cc Pía-flotador e dimensión
Calor específico 0,66 J/g °K Flash láser pulsado
Resistencia á flexión 450 MPa 560 MPa Curva de 4 puntos, curva de punto RT4, 1300°
Tenacidade á fractura 2,94 MPa m1/2 Microindentación
Dureza 2800 Vicker's, carga de 500 g
Módulo elásticoMódulo de Young 450 GPa 430 GPa Codo de 4 puntos, curva RT4 pt, 1300 °C
Tamaño do gran 2-10 µm SEM

Propiedades térmicas do SiC

Condutividade térmica 250 W/m °K Método de flash láser, RT
Expansión térmica (CTE) 4,5 x 10-6 °K Temperatura ambiente ata 950 °C, dilatómetro de sílice

Parámetros técnicos

Elemento Unidade Datos
RBSiC (SiSiC) NBSiC SSiC RSiC OSiC
Contido de SiC % 85 75 99 99.9 ≥99
Contido gratuíto de silicio % 15 0 0 0 0
Temperatura máxima de servizo 1380 1450 1650 1620 1400
Densidade g/cm3 3.02 2,75-2,85 3.08-3.16 2,65-2,75 2,75-2,85
Porosidade aberta % 0 13-15 0 15-18 7-8
Resistencia á flexión 20 ℃ Мpa 250 160 380 100 /
Resistencia á flexión 1200 ℃ Мpa 280 180 400 120 /
Módulo de elasticidade 20℃ Gpa 330 580 420 240 /
Módulo de elasticidade 1200℃ Gpa 300 / / 200 /
Condutividade térmica 1200 ℃ W/mK 45 19.6 100-120 36.6 /
Coeficiente de dilatación térmica K-1X10-6 4.5 4.7 4.1 4,69 /
HV Kg/mm2 2115 / 2800 / /

O revestimento de carburo de silicio CVD na superficie exterior dos produtos cerámicos de carburo de silicio recristalizado pode alcanzar unha pureza superior ao 99,9999% para satisfacer as necesidades dos clientes da industria de semicondutores.

Lugar de traballo Semicera
Lugar de traballo semicera 2
Máquina de equipamento
Procesamento CNN, limpeza química, revestimento CVD
O noso servizo

  • Anterior:
  • Seguinte: