Semiceraestá emocionado de ofrecer2" substratos de óxido de galio, un material de vangarda deseñado para mellorar o rendemento dos dispositivos semicondutores avanzados. Estes substratos, feitos de óxido de galio (Ga2O3), presentan un intervalo de banda ultra ancho, o que os converte nunha opción ideal para aplicacións optoelectrónicas de alta potencia, alta frecuencia e UV.
Características principais:
• Ultra-Wide Bandgap: O2" substratos de óxido de galioproporcionan unha banda prohibida sobresaliente de aproximadamente 4,8 eV, o que permite un funcionamento a maior tensión e temperatura, superando con moito as capacidades dos materiais semicondutores tradicionais como o silicio.
•Tensión de avaría excepcional: Estes substratos permiten que os dispositivos manexan tensións significativamente máis altas, polo que son perfectos para a electrónica de potencia, especialmente en aplicacións de alta tensión.
•Excelente condutividade térmica: Con estabilidade térmica superior, estes substratos manteñen un rendemento consistente mesmo en ambientes térmicos extremos, ideais para aplicacións de alta potencia e alta temperatura.
•Material de alta calidade: O2" substratos de óxido de galioofrecen baixas densidades de defectos e alta calidade cristalina, garantindo o rendemento fiable e eficiente dos seus dispositivos semicondutores.
•Aplicacións versátiles: Estes substratos son axeitados para unha variedade de aplicacións, incluíndo transistores de potencia, díodos Schottky e dispositivos LED UV-C, que ofrecen unha base sólida para as innovacións tanto en potencia como en optoelectrónica.
Desbloquee todo o potencial dos seus dispositivos semicondutores con Semicera2" substratos de óxido de galio. Os nosos substratos están deseñados para satisfacer as esixentes necesidades das aplicacións avanzadas actuais, garantindo un alto rendemento, fiabilidade e eficiencia. Escolla Semicera para obter materiais semicondutores de última xeración que impulsan a innovación.
| Elementos | Produción | Investigación | Maniquí |
| Parámetros de cristal | |||
| Politipo | 4H | ||
| Erro de orientación da superficie | <11-20 >4±0,15° | ||
| Parámetros eléctricos | |||
| Dopante | Nitróxeno tipo n | ||
| Resistividade | 0,015-0,025 ohmios·cm | ||
| Parámetros mecánicos | |||
| Diámetro | 150,0 ± 0,2 mm | ||
| Espesor | 350 ± 25 μm | ||
| Orientación plana primaria | [1-100]±5° | ||
| Lonxitude plana primaria | 47,5 ± 1,5 mm | ||
| Piso secundario | Ningún | ||
| TTV | ≤5 μm | ≤10 μm | ≤15 μm |
| LTV | ≤3 μm (5mm*5mm) | ≤5 μm (5mm*5mm) | ≤10 μm (5mm*5mm) |
| Proa | -15 μm ~ 15 μm | -35 μm ~ 35 μm | -45 μm ~ 45 μm |
| Deformación | ≤35 μm | ≤45 μm | ≤55 μm |
| Rugosidade frontal (Si-face) (AFM) | Ra ≤ 0,2 nm (5 μm * 5 μm) | ||
| Estrutura | |||
| Densidade de microtubos | <1 ea/cm2 | <10 unidades/cm2 | <15 ea/cm2 |
| Impurezas metálicas | ≤5E10 átomos/cm2 | NA | |
| BPD | ≤1500 ea/cm2 | ≤3000 ea/cm2 | NA |
| TSD | ≤500 ea/cm2 | ≤1000 ea/cm2 | NA |
| Calidade frontal | |||
| Fronte | Si | ||
| Acabado superficial | CMP Si-face | ||
| Partículas | ≤60ea/oblea (tamaño ≥0,3μm) | NA | |
| Raiaduras | ≤5 unidades/mm. Lonxitude acumulada ≤Diámetro | Lonxitude acumulada ≤ 2 * Diámetro | NA |
| Casca de laranxa/focos/manchas/estrías/fechas/contaminación | Ningún | NA | |
| Fichas de borde/sanges/fracturas/placas hexagonales | Ningún | ||
| Áreas politípicas | Ningún | Área acumulada ≤ 20% | Área acumulada ≤ 30% |
| Marcado frontal con láser | Ningún | ||
| Calidade traseira | |||
| Acabado traseiro | C-face CMP | ||
| Raiaduras | ≤5ea/mm,Lonxitude acumulada≤2*Diámetro | NA | |
| Defectos posteriores (fichas de bordo/sangrías) | Ningún | ||
| Rugosidade nas costas | Ra ≤ 0,2 nm (5 μm * 5 μm) | ||
| Marcado láser traseiro | 1 mm (desde o borde superior) | ||
| Borde | |||
| Borde | Chaflán | ||
| Embalaxe | |||
| Embalaxe | Epi-ready con envasado ao baleiro Embalaxe de casetes multiwafer | ||
| *Notas: "NA" significa que non hai solicitude. Os elementos non mencionados poden referirse a SEMI-STD. | |||
