Semiceraestá orgulloso de presentar oSubstrato de oblea de nitruro de aluminio de 30 mm, un material de primeiro nivel deseñado para satisfacer as estritas demandas das modernas aplicacións electrónicas e optoelectrónicas. Os substratos de nitruro de aluminio (AlN) son coñecidos pola súa excelente condutividade térmica e propiedades de illamento eléctrico, polo que son unha opción ideal para dispositivos de alto rendemento.
Características principais:
• Excepcional condutividade térmica: OSubstrato de oblea de nitruro de aluminio de 30 mmposúe unha condutividade térmica de ata 170 W/mK, significativamente maior que outros materiais de substrato, o que garante unha disipación de calor eficiente en aplicacións de alta potencia.
•Alto illamento eléctrico: Con excelentes propiedades de illamento eléctrico, este substrato minimiza a interferencia cruzada e o sinal, polo que é ideal para aplicacións de RF e microondas.
•Resistencia mecánica: OSubstrato de oblea de nitruro de aluminio de 30 mmofrece unha resistencia mecánica e estabilidade superiores, garantindo durabilidade e fiabilidade mesmo en condicións de funcionamento rigorosas.
•Aplicacións versátiles: Este substrato é perfecto para usar en LED de alta potencia, díodos láser e compoñentes de RF, proporcionando unha base robusta e fiable para os seus proxectos máis esixentes.
•Fabricación de precisión: Semicera garante que cada substrato de obleas se fabrique coa maior precisión, ofrecendo un grosor uniforme e unha calidade de superficie para cumprir cos estándares esixentes dos dispositivos electrónicos avanzados.
Maximiza a eficiencia e a fiabilidade dos teus dispositivos con Semicera'sSubstrato de oblea de nitruro de aluminio de 30 mm. Os nosos substratos están deseñados para ofrecer un rendemento superior, garantindo que os seus sistemas electrónicos e optoelectrónicos funcionen ao máximo. Confía en Semicera por materiais de vangarda que lideran a industria en calidade e innovación.
| Elementos | Produción | Investigación | Maniquí |
| Parámetros de cristal | |||
| Politipo | 4H | ||
| Erro de orientación da superficie | <11-20 >4±0,15° | ||
| Parámetros eléctricos | |||
| Dopante | Nitróxeno tipo n | ||
| Resistividade | 0,015-0,025 ohmios·cm | ||
| Parámetros mecánicos | |||
| Diámetro | 150,0 ± 0,2 mm | ||
| Espesor | 350 ± 25 μm | ||
| Orientación plana primaria | [1-100]±5° | ||
| Lonxitude plana primaria | 47,5 ± 1,5 mm | ||
| Piso secundario | Ningún | ||
| TTV | ≤5 μm | ≤10 μm | ≤15 μm |
| LTV | ≤3 μm (5mm*5mm) | ≤5 μm (5mm*5mm) | ≤10 μm (5mm*5mm) |
| Proa | -15 μm ~ 15 μm | -35 μm ~ 35 μm | -45 μm ~ 45 μm |
| Deformación | ≤35 μm | ≤45 μm | ≤55 μm |
| Rugosidade frontal (Si-face) (AFM) | Ra ≤ 0,2 nm (5 μm * 5 μm) | ||
| Estrutura | |||
| Densidade de microtubos | <1 ea/cm2 | <10 ea/cm2 | <15 ea/cm2 |
| Impurezas metálicas | ≤5E10 átomos/cm2 | NA | |
| BPD | ≤1500 ea/cm2 | ≤3000 ea/cm2 | NA |
| TSD | ≤500 ea/cm2 | ≤1000 ea/cm2 | NA |
| Calidade frontal | |||
| Fronte | Si | ||
| Acabado superficial | CMP Si-face | ||
| Partículas | ≤60ea/oblea (tamaño ≥0,3μm) | NA | |
| Raiaduras | ≤5 unidades/mm. Lonxitude acumulada ≤Diámetro | Lonxitude acumulada ≤ 2 * Diámetro | NA |
| Casca de laranxa/focos/manchas/estrías/fechas/contaminación | Ningún | NA | |
| Fichas de borde/sangrías/fracturas/placas hexagonales | Ningún | ||
| Áreas politípicas | Ningún | Área acumulada ≤ 20% | Área acumulada ≤ 30% |
| Marcado frontal con láser | Ningún | ||
| Calidade traseira | |||
| Acabado traseiro | C-face CMP | ||
| Raiaduras | ≤5ea/mm,Lonxitude acumulada≤2*Diámetro | NA | |
| Defectos posteriores (fichas de bordo/sangrías) | Ningún | ||
| Rugosidade nas costas | Ra ≤ 0,2 nm (5 μm * 5 μm) | ||
| Marcado láser traseiro | 1 mm (desde o borde superior) | ||
| Borde | |||
| Borde | Chaflán | ||
| Embalaxe | |||
| Embalaxe | Epi-ready con envasado ao baleiro Embalaxe de casetes multiwafer | ||
| *Notas: "NA" significa que non hai solicitude. Os elementos non mencionados poden referirse a SEMI-STD. | |||
