Os lingotes de SiC tipo N de 4", 6" e 8" de Semicera representan un gran avance nos materiais semicondutores, deseñados para satisfacer as crecentes demandas dos sistemas electrónicos e de potencia modernos. Estes lingotes proporcionan unha base robusta e estable para varias aplicacións de semicondutores, garantindo unha óptima rendemento e lonxevidade.
Os nosos lingotes de SiC de tipo N prodúcense mediante procesos de fabricación avanzados que melloran a súa condutividade eléctrica e estabilidade térmica. Isto fai que sexan ideais para aplicacións de alta potencia e alta frecuencia, como inversores, transistores e outros dispositivos electrónicos de potencia onde a eficiencia e a fiabilidade son primordiales.
A dopaxe precisa destes lingotes garante que ofrecen un rendemento consistente e repetible. Esta coherencia é fundamental para os desenvolvedores e fabricantes que están superando os límites da tecnoloxía en campos como o aeroespacial, a automoción e as telecomunicacións. Os lingotes de SiC de Semicera permiten a produción de dispositivos que funcionan de forma eficiente en condicións extremas.
Elixir os lingotes de SiC tipo N de Semicera significa integrar materiais que poden soportar altas temperaturas e altas cargas eléctricas con facilidade. Estes lingotes son especialmente axeitados para crear compoñentes que requiren unha excelente xestión térmica e un funcionamento de alta frecuencia, como amplificadores de RF e módulos de potencia.
Ao optar polos lingotes de SiC tipo N de 4", 6" e 8" de Semicera, está a investir nun produto que combina propiedades excepcionais dos materiais coa precisión e fiabilidade que demandan as tecnoloxías de semicondutores de vangarda. Semicera segue liderando a industria por proporcionando solucións innovadoras que impulsen o avance da fabricación de dispositivos electrónicos.
| Elementos | Produción | Investigación | Maniquí |
| Parámetros de cristal | |||
| Politipo | 4H | ||
| Erro de orientación da superficie | <11-20 >4±0,15° | ||
| Parámetros eléctricos | |||
| Dopante | Nitróxeno tipo n | ||
| Resistividade | 0,015-0,025 ohmios·cm | ||
| Parámetros mecánicos | |||
| Diámetro | 150,0 ± 0,2 mm | ||
| Espesor | 350 ± 25 μm | ||
| Orientación plana primaria | [1-100]±5° | ||
| Lonxitude plana primaria | 47,5 ± 1,5 mm | ||
| Piso secundario | Ningún | ||
| TTV | ≤5 μm | ≤10 μm | ≤15 μm |
| LTV | ≤3 μm (5mm*5mm) | ≤5 μm (5mm*5mm) | ≤10 μm (5mm*5mm) |
| Proa | -15 μm ~ 15 μm | -35 μm ~ 35 μm | -45 μm ~ 45 μm |
| Deformación | ≤35 μm | ≤45 μm | ≤55 μm |
| Rugosidade frontal (Si-face) (AFM) | Ra ≤ 0,2 nm (5 μm * 5 μm) | ||
| Estrutura | |||
| Densidade de microtubos | <1 ea/cm2 | <10 ea/cm2 | <15 ea/cm2 |
| Impurezas metálicas | ≤5E10 átomos/cm2 | NA | |
| BPD | ≤1500 ea/cm2 | ≤3000 ea/cm2 | NA |
| TSD | ≤500 ea/cm2 | ≤1000 ea/cm2 | NA |
| Calidade frontal | |||
| Fronte | Si | ||
| Acabado superficial | CMP Si-face | ||
| Partículas | ≤60ea/oblea (tamaño ≥0,3μm) | NA | |
| Raiaduras | ≤5 unidades/mm. Lonxitude acumulada ≤Diámetro | Lonxitude acumulada ≤ 2 * Diámetro | NA |
| Casca de laranxa/focos/manchas/estrías/fechas/contaminación | Ningún | NA | |
| Fichas de borde/sangrías/fracturas/placas hexagonales | Ningún | ||
| Áreas politípicas | Ningún | Área acumulada ≤ 20% | Área acumulada ≤ 30% |
| Marcado frontal con láser | Ningún | ||
| Calidade traseira | |||
| Acabado traseiro | C-face CMP | ||
| Raiaduras | ≤5ea/mm,Lonxitude acumulada≤2*Diámetro | NA | |
| Defectos posteriores (fichas de bordo/sangrías) | Ningún | ||
| Rugosidade nas costas | Ra ≤ 0,2 nm (5 μm * 5 μm) | ||
| Marcado láser traseiro | 1 mm (desde o borde superior) | ||
| Borde | |||
| Borde | Chaflán | ||
| Embalaxe | |||
| Embalaxe | Epi-ready con envasado ao baleiro Embalaxe de casetes multiwafer | ||
| *Notas: "NA" significa que non hai solicitude. Os elementos non mencionados poden referirse a SEMI-STD. | |||
