O substrato SiC semiillante de 4" 6" de Semicera é un material de alta calidade deseñado para cumprir os estritos requisitos das aplicacións de dispositivos de RF e potencia. O substrato combina a excelente condutividade térmica e a alta tensión de ruptura do carburo de silicio con propiedades semiillantes, polo que é unha opción ideal para desenvolver dispositivos semicondutores avanzados.
O substrato SiC semi-illante de 4" 6" está fabricado coidadosamente para garantir un material de alta pureza e un rendemento semi-illante consistente. Isto garante que o substrato proporcione o illamento eléctrico necesario en dispositivos de RF como amplificadores e transistores, ao tempo que proporciona a eficiencia térmica necesaria para aplicacións de alta potencia. O resultado é un substrato versátil que se pode utilizar nunha ampla gama de produtos electrónicos de alto rendemento.
Semicera recoñece a importancia de proporcionar substratos fiables e sen defectos para aplicacións críticas de semicondutores. O noso substrato SiC semiillante de 4" 6" prodúcese mediante técnicas de fabricación avanzadas que minimizan os defectos dos cristais e melloran a uniformidade do material. Isto permite que o produto admita a fabricación de dispositivos cun rendemento, estabilidade e vida útil mellorados.
O compromiso de Semicera coa calidade garante que o noso substrato SiC semiillante de 4" 6" ofreza un rendemento fiable e consistente nunha ampla gama de aplicacións. Tanto se estás desenvolvendo dispositivos de alta frecuencia como con solucións enerxéticas eficientes, os nosos substratos de SiC semiillantes proporcionan a base para o éxito da electrónica de próxima xeración.
Parámetros básicos
| Tamaño | 6 polgadas | 4 polgadas |
| Diámetro | 150,0 mm+0 mm/-0,2 mm | 100,0 mm+0 mm/-0,5 mm |
| Orientación da superficie | {0001}±0,2° | |
| Orientación primaria de piso | / | <1120>±5° |
| Orientación plana secundaria | / | Silicona cara arriba: 90° CW desde Prime Flat士5° |
| Lonxitude plana primaria | / | 32,5 mm x 2,0 mm |
| Lonxitude plana secundaria | / | 18,0 mm x 2,0 mm |
| Orientación da muesca | <1100>±1,0° | / |
| Orientación da muesca | 1,0 mm+0,25 mm/-0,00 mm | / |
| Ángulo de muesca | 90°+5°/-1° | / |
| Espesor | 500.0um e 25.0um | |
| Tipo condutor | Semiaislante | |
Información de calidade cristalina
| ltem | 6 polgadas | 4 polgadas |
| Resistividade | ≥1E9Q·cm | |
| Politipo | Ningún permitido | |
| Densidade de microtubo | ≤0,5/cm2 | ≤0,3/cm2 |
| Placas hexagonales por luz de alta intensidade | Ningún permitido | |
| Inclusións de carbono visual por alta | Área acumulada ≤ 0,05 % | |
Resistividad - Probado por resistencia de folla sen contacto.
Densidade de microtubo
