Semicerapresenta con orgullo o seu4" Substratos de óxido de galio, un material innovador deseñado para satisfacer as crecentes demandas de dispositivos semicondutores de alto rendemento. Óxido de galio (Ga2O3) ofrecen un intervalo de banda ultra ancho, o que os fai ideais para a electrónica de potencia de próxima xeración, a optoelectrónica UV e os dispositivos de alta frecuencia.
Características principais:
• Ultra-Wide Bandgap: O4" Substratos de óxido de galioposúen un intervalo de banda de aproximadamente 4,8 eV, o que permite unha tolerancia de voltaxe e temperatura excepcional, superando significativamente os materiais semicondutores tradicionais como o silicio.
•Alta tensión de avaría: Estes substratos permiten que os dispositivos funcionen a voltaxes e potencias máis altas, polo que son perfectos para aplicacións de alta tensión en electrónica de potencia.
•Estabilidade térmica superior: Os substratos de óxido de galio ofrecen unha excelente condutividade térmica, garantindo un rendemento estable en condicións extremas, ideais para o seu uso en ambientes esixentes.
•Alta calidade do material: Con baixas densidades de defectos e alta calidade de cristal, estes substratos garanten un rendemento fiable e consistente, mellorando a eficiencia e a durabilidade dos teus dispositivos.
•Aplicación versátil: Axeitado para unha ampla gama de aplicacións, incluíndo transistores de potencia, díodos Schottky e dispositivos LED UV-C, que permiten innovacións tanto en campos de potencia como optoelectrónicos.
Explora o futuro da tecnoloxía de semicondutores con Semicera's4" Substratos de óxido de galio. Os nosos substratos están deseñados para soportar as aplicacións máis avanzadas, proporcionando a fiabilidade e a eficiencia necesarias para os dispositivos de vangarda actuais. Confía en Semicera para obter calidade e innovación nos teus materiais semicondutores.
| Elementos | Produción | Investigación | Maniquí |
| Parámetros de cristal | |||
| Politipo | 4H | ||
| Erro de orientación da superficie | <11-20 >4±0,15° | ||
| Parámetros eléctricos | |||
| Dopante | Nitróxeno tipo n | ||
| Resistividade | 0,015-0,025 ohmios·cm | ||
| Parámetros mecánicos | |||
| Diámetro | 150,0 ± 0,2 mm | ||
| Espesor | 350 ± 25 μm | ||
| Orientación plana primaria | [1-100]±5° | ||
| Lonxitude plana primaria | 47,5 ± 1,5 mm | ||
| Piso secundario | Ningún | ||
| TTV | ≤5 μm | ≤10 μm | ≤15 μm |
| LTV | ≤3 μm (5mm*5mm) | ≤5 μm (5mm*5mm) | ≤10 μm (5mm*5mm) |
| Proa | -15 μm ~ 15 μm | -35 μm ~ 35 μm | -45 μm ~ 45 μm |
| Deformación | ≤35 μm | ≤45 μm | ≤55 μm |
| Rugosidade frontal (Si-face) (AFM) | Ra ≤ 0,2 nm (5 μm * 5 μm) | ||
| Estrutura | |||
| Densidade de microtubos | <1 ea/cm2 | <10 unidades/cm2 | <15 ea/cm2 |
| Impurezas metálicas | ≤5E10 átomos/cm2 | NA | |
| BPD | ≤1500 ea/cm2 | ≤3000 ea/cm2 | NA |
| TSD | ≤500 ea/cm2 | ≤1000 ea/cm2 | NA |
| Calidade frontal | |||
| Fronte | Si | ||
| Acabado superficial | CMP Si-face | ||
| Partículas | ≤60ea/oblea (tamaño ≥0,3μm) | NA | |
| Raiaduras | ≤5 unidades/mm. Lonxitude acumulada ≤Diámetro | Lonxitude acumulada ≤ 2 * Diámetro | NA |
| Casca de laranxa/focos/manchas/estrías/fechas/contaminación | Ningún | NA | |
| Fichas de borde/sanges/fracturas/placas hexagonales | Ningún | ||
| Áreas politípicas | Ningún | Área acumulada ≤ 20% | Área acumulada ≤ 30% |
| Marcado frontal con láser | Ningún | ||
| Calidade traseira | |||
| Acabado traseiro | C-face CMP | ||
| Raiaduras | ≤5ea/mm,Lonxitude acumulada≤2*Diámetro | NA | |
| Defectos posteriores (fichas de bordo/sangrías) | Ningún | ||
| Rugosidade nas costas | Ra ≤ 0,2 nm (5 μm * 5 μm) | ||
| Marcado láser traseiro | 1 mm (desde o borde superior) | ||
| Borde | |||
| Borde | Chaflán | ||
| Embalaxe | |||
| Embalaxe | Epi-ready con envasado ao baleiro Embalaxe de casetes multiwafer | ||
| *Notas: "NA" significa que non hai solicitude. Os elementos non mencionados poden referirse a SEMI-STD. | |||
