Os substratos de obleas pulidos de dobre cara de SiC de 4 polgadas de alta pureza (HPSI) de Semicera están elaborados para satisfacer as esixentes demandas da industria de semicondutores. Estes substratos están deseñados cunha planitude e pureza excepcionais, ofrecendo unha plataforma óptima para dispositivos electrónicos de vangarda.
Estas obleas HPSI SiC distínguense pola súa condutividade térmica superior e as súas propiedades de illamento eléctrico, polo que son unha excelente opción para aplicacións de alta frecuencia e alta potencia. O proceso de pulido do dobre lado garante unha rugosidade superficial mínima, o que é fundamental para mellorar o rendemento e a lonxevidade do dispositivo.
A alta pureza das obleas de SiC de Semicera minimiza os defectos e as impurezas, o que leva a maiores taxas de rendemento e fiabilidade do dispositivo. Estes substratos son axeitados para unha ampla gama de aplicacións, incluíndo dispositivos de microondas, electrónica de potencia e tecnoloxías LED, onde a precisión e a durabilidade son esenciais.
Con foco na innovación e a calidade, Semicera utiliza técnicas de fabricación avanzadas para producir obleas que cumpren os estritos requisitos da electrónica moderna. O pulido por dobre cara non só mellora a resistencia mecánica senón que tamén facilita unha mellor integración con outros materiais semicondutores.
Ao elixir os substratos de obleas pulidos de dobre cara HPSI SiC de 4 polgadas de alta pureza de Semicera, os fabricantes poden aproveitar os beneficios da mellora da xestión térmica e do illamento eléctrico, abrindo o camiño para o desenvolvemento de dispositivos electrónicos máis eficientes e potentes. Semicera segue liderando a industria co seu compromiso coa calidade e o avance tecnolóxico.
| Elementos | Produción | Investigación | Maniquí |
| Parámetros de cristal | |||
| Politipo | 4H | ||
| Erro de orientación da superficie | <11-20 >4±0,15° | ||
| Parámetros eléctricos | |||
| Dopante | Nitróxeno tipo n | ||
| Resistividade | 0,015-0,025 ohmios·cm | ||
| Parámetros mecánicos | |||
| Diámetro | 150,0 ± 0,2 mm | ||
| Espesor | 350 ± 25 μm | ||
| Orientación plana primaria | [1-100]±5° | ||
| Lonxitude plana primaria | 47,5 ± 1,5 mm | ||
| Piso secundario | Ningún | ||
| TTV | ≤5 μm | ≤10 μm | ≤15 μm |
| LTV | ≤3 μm (5mm*5mm) | ≤5 μm (5mm*5mm) | ≤10 μm (5mm*5mm) |
| Proa | -15 μm ~ 15 μm | -35 μm ~ 35 μm | -45 μm ~ 45 μm |
| Deformación | ≤35 μm | ≤45 μm | ≤55 μm |
| Rugosidade frontal (Si-face) (AFM) | Ra ≤ 0,2 nm (5 μm * 5 μm) | ||
| Estrutura | |||
| Densidade de microtubos | <1 ea/cm2 | <10 unidades/cm2 | <15 ea/cm2 |
| Impurezas metálicas | ≤5E10 átomos/cm2 | NA | |
| BPD | ≤1500 ea/cm2 | ≤3000 ea/cm2 | NA |
| TSD | ≤500 ea/cm2 | ≤1000 ea/cm2 | NA |
| Calidade frontal | |||
| Fronte | Si | ||
| Acabado superficial | CMP Si-face | ||
| Partículas | ≤60ea/oblea (tamaño ≥0,3μm) | NA | |
| Raiaduras | ≤5 unidades/mm. Lonxitude acumulada ≤Diámetro | Lonxitude acumulada ≤ 2 * Diámetro | NA |
| Casca de laranxa/focos/manchas/estrías/fechas/contaminación | Ningún | NA | |
| Fichas de borde/sanges/fracturas/placas hexagonales | Ningún | ||
| Áreas politípicas | Ningún | Área acumulada ≤ 20% | Área acumulada ≤ 30% |
| Marcado frontal con láser | Ningún | ||
| Calidade traseira | |||
| Acabado traseiro | C-face CMP | ||
| Raiaduras | ≤5ea/mm,Lonxitude acumulada≤2*Diámetro | NA | |
| Defectos posteriores (fichas de bordo/sangrías) | Ningún | ||
| Rugosidade nas costas | Ra ≤ 0,2 nm (5 μm * 5 μm) | ||
| Marcado láser traseiro | 1 mm (desde o borde superior) | ||
| Borde | |||
| Borde | Chaflán | ||
| Embalaxe | |||
| Embalaxe | Epi-ready con envasado ao baleiro Embalaxe de casetes multiwafer | ||
| *Notas: "NA" significa que non hai solicitude. Os elementos non mencionados poden referirse a SEMI-STD. | |||
