Os substratos SiC de tipo N de 4 polgadas de Semicera están elaborados para cumprir cos estándares esixentes da industria de semicondutores. Estes substratos proporcionan unha base de alto rendemento para unha ampla gama de aplicacións electrónicas, ofrecendo unha condutividade e propiedades térmicas excepcionais.
A dopaxe de tipo N destes substratos de SiC mellora a súa condutividade eléctrica, facéndoos especialmente axeitados para aplicacións de alta potencia e alta frecuencia. Esta propiedade permite o funcionamento eficiente de dispositivos como díodos, transistores e amplificadores, onde minimizar a perda de enerxía é fundamental.
Semicera utiliza procesos de fabricación de última xeración para garantir que cada substrato exhiba unha excelente calidade superficial e uniformidade. Esta precisión é fundamental para aplicacións en electrónica de potencia, dispositivos de microondas e outras tecnoloxías que esixen un rendemento fiable en condicións extremas.
Incorporar os substratos de SiC tipo N de Semicera na súa liña de produción significa beneficiarse de materiais que ofrecen unha disipación de calor e estabilidade eléctrica superiores. Estes substratos son ideais para crear compoñentes que requiren durabilidade e eficiencia, como sistemas de conversión de enerxía e amplificadores de RF.
Ao elixir os substratos SiC tipo N de 4 polgadas de Semicera, está a investir nun produto que combina a ciencia dos materiais innovadoras cunha artesanía meticulosa. Semicera segue liderando a industria proporcionando solucións que apoian o desenvolvemento de tecnoloxías de semicondutores de punta, garantindo un alto rendemento e fiabilidade.
| Elementos | Produción | Investigación | Maniquí |
| Parámetros de cristal | |||
| Politipo | 4H | ||
| Erro de orientación da superficie | <11-20 >4±0,15° | ||
| Parámetros eléctricos | |||
| Dopante | Nitróxeno tipo n | ||
| Resistividade | 0,015-0,025 ohmios·cm | ||
| Parámetros mecánicos | |||
| Diámetro | 150,0 ± 0,2 mm | ||
| Espesor | 350 ± 25 μm | ||
| Orientación plana primaria | [1-100]±5° | ||
| Lonxitude plana primaria | 47,5 ± 1,5 mm | ||
| Piso secundario | Ningún | ||
| TTV | ≤5 μm | ≤10 μm | ≤15 μm |
| LTV | ≤3 μm (5mm*5mm) | ≤5 μm (5mm*5mm) | ≤10 μm (5mm*5mm) |
| Proa | -15 μm ~ 15 μm | -35 μm ~ 35 μm | -45 μm ~ 45 μm |
| Deformación | ≤35 μm | ≤45 μm | ≤55 μm |
| Rugosidade frontal (Si-face) (AFM) | Ra ≤ 0,2 nm (5 μm * 5 μm) | ||
| Estrutura | |||
| Densidade de microtubos | <1 ea/cm2 | <10 ea/cm2 | <15 ea/cm2 |
| Impurezas metálicas | ≤5E10 átomos/cm2 | NA | |
| BPD | ≤1500 ea/cm2 | ≤3000 ea/cm2 | NA |
| TSD | ≤500 ea/cm2 | ≤1000 ea/cm2 | NA |
| Calidade frontal | |||
| Fronte | Si | ||
| Acabado superficial | CMP Si-face | ||
| Partículas | ≤60ea/oblea (tamaño ≥0,3μm) | NA | |
| Raiaduras | ≤5 unidades/mm. Lonxitude acumulada ≤Diámetro | Lonxitude acumulada ≤ 2 * Diámetro | NA |
| Casca de laranxa/focos/manchas/estrías/fechas/contaminación | Ningún | NA | |
| Fichas de borde/sangrías/fracturas/placas hexagonales | Ningún | ||
| Áreas politípicas | Ningún | Área acumulada ≤ 20% | Área acumulada ≤ 30% |
| Marcado frontal con láser | Ningún | ||
| Calidade traseira | |||
| Acabado traseiro | C-face CMP | ||
| Raiaduras | ≤5ea/mm,Lonxitude acumulada≤2*Diámetro | NA | |
| Defectos posteriores (fichas de bordo/sangrías) | Ningún | ||
| Rugosidade nas costas | Ra ≤ 0,2 nm (5 μm * 5 μm) | ||
| Marcado láser traseiro | 1 mm (desde o borde superior) | ||
| Borde | |||
| Borde | Chaflán | ||
| Embalaxe | |||
| Embalaxe | Epi-ready con envasado ao baleiro Embalaxe de casetes multiwafer | ||
| *Notas: "NA" significa que non hai solicitude. Os elementos non mencionados poden referirse a SEMI-STD. | |||
