Lingote de SiC semiisolante de alta pureza de 4″ 6″

Breve descrición:

Os lingotes de SiC semiisolantes de alta pureza de 4”6” de Semicera están elaborados meticulosamente para aplicacións electrónicas e optoelectrónicas avanzadas. Con condutividade térmica e resistividade eléctrica superiores, estes lingotes proporcionan unha base sólida para dispositivos de alto rendemento. Semicera garante unha calidade e fiabilidade constantes en cada produto.


Detalle do produto

Etiquetas de produtos

Os lingotes de SiC semiillantes de alta pureza de 4”6” de Semicera están deseñados para cumprir os estrictos estándares da industria de semicondutores. Estes lingotes prodúcense centrándose na pureza e na consistencia, polo que son unha opción ideal para aplicacións de alta potencia e alta frecuencia nas que o rendemento é primordial.

As propiedades únicas destes lingotes de SiC, incluíndo unha alta condutividade térmica e unha excelente resistividade eléctrica, fan que sexan especialmente axeitados para o seu uso en dispositivos electrónicos de potencia e microondas. A súa natureza semi-illante permite unha disipación de calor eficaz e unha mínima interferencia eléctrica, o que leva a compoñentes máis eficientes e fiables.

Semicera emprega procesos de fabricación de última xeración para producir lingotes cunha calidade e uniformidade de cristal excepcional. Esta precisión garante que cada lingote poida usarse de forma fiable en aplicacións sensibles, como amplificadores de alta frecuencia, díodos láser e outros dispositivos optoelectrónicos.

Dispoñibles en tamaños de 4 e 6 polgadas, os lingotes de SiC de Semicera proporcionan a flexibilidade necesaria para varias escalas de produción e requisitos tecnolóxicos. Xa sexa para investigación e desenvolvemento ou produción en masa, estes lingotes ofrecen o rendemento e a durabilidade que esixen os sistemas electrónicos modernos.

Ao escoller os lingotes de SiC semi-illantes de alta pureza de Semicera, está a investir nun produto que combina a ciencia avanzada dos materiais cunha experiencia de fabricación incomparable. Semicera dedícase a apoiar a innovación e o crecemento da industria de semicondutores, ofrecendo materiais que permiten o desenvolvemento de dispositivos electrónicos de vangarda.

Elementos

Produción

Investigación

Maniquí

Parámetros de cristal

Politipo

4H

Erro de orientación da superficie

<11-20 >4±0,15°

Parámetros eléctricos

Dopante

Nitróxeno tipo n

Resistividade

0,015-0,025 ohmios·cm

Parámetros mecánicos

Diámetro

150,0 ± 0,2 mm

Espesor

350 ± 25 μm

Orientación plana primaria

[1-100]±5°

Lonxitude plana primaria

47,5 ± 1,5 mm

Piso secundario

Ningún

TTV

≤5 μm

≤10 μm

≤15 μm

LTV

≤3 μm (5mm*5mm)

≤5 μm (5mm*5mm)

≤10 μm (5mm*5mm)

Proa

-15 μm ~ 15 μm

-35 μm ~ 35 μm

-45 μm ~ 45 μm

Deformación

≤35 μm

≤45 μm

≤55 μm

Rugosidade frontal (Si-face) (AFM)

Ra ≤ 0,2 nm (5 μm * 5 μm)

Estrutura

Densidade de microtubos

<1 ea/cm2

<10 unidades/cm2

<15 ea/cm2

Impurezas metálicas

≤5E10 átomos/cm2

NA

BPD

≤1500 ea/cm2

≤3000 ea/cm2

NA

TSD

≤500 ea/cm2

≤1000 ea/cm2

NA

Calidade frontal

Fronte

Si

Acabado superficial

CMP Si-face

Partículas

≤60ea/oblea (tamaño ≥0,3μm)

NA

Raiaduras

≤5 unidades/mm. Lonxitude acumulada ≤Diámetro

Lonxitude acumulada ≤ 2 * Diámetro

NA

Casca de laranxa/focos/manchas/estrías/fechas/contaminación

Ningún

NA

Fichas de borde/sanges/fracturas/placas hexagonales

Ningún

Áreas politípicas

Ningún

Área acumulada ≤ 20%

Área acumulada ≤ 30%

Marcado frontal con láser

Ningún

Calidade traseira

Acabado traseiro

C-face CMP

Raiaduras

≤5ea/mm,Lonxitude acumulada≤2*Diámetro

NA

Defectos posteriores (fichas de bordo/sangrías)

Ningún

Rugosidade nas costas

Ra ≤ 0,2 nm (5 μm * 5 μm)

Marcado láser traseiro

1 mm (desde o borde superior)

Borde

Borde

Chaflán

Embalaxe

Embalaxe

Epi-ready con envasado ao baleiro

Embalaxe de casetes multiwafer

*Notas: "NA" significa que non hai solicitude. Os elementos non mencionados poden referirse a SEMI-STD.

tech_1_2_tamaño
Obleas de SiC

  • Anterior:
  • Seguinte: