Substrato SiC tipo N de 6 polgadas

O material de cristal único de carburo de silicio (SiC) ten un ancho de banda grande (~ Si 3 veces), alta condutividade térmica (~ Si 3,3 veces ou GaAs 10 veces), alta taxa de migración de saturación de electróns (~ Si 2,5 veces), alta ruptura eléctrica. campo (~Si 10 veces ou GaAs 5 veces) e outras características destacadas.

Os materiais semicondutores de terceira xeración inclúen principalmente SiC, GaN, diamante, etc., porque o seu ancho de banda lavada (Eg) é maior ou igual a 2,3 electróns voltios (eV), tamén coñecidos como materiais semicondutores de banda ancha.En comparación cos materiais semicondutores de primeira e segunda xeración, os materiais semicondutores de terceira xeración teñen as vantaxes dunha alta condutividade térmica, un alto campo eléctrico de ruptura, unha alta taxa de migración de electróns saturados e unha alta enerxía de enlace, que poden satisfacer os novos requisitos da tecnoloxía electrónica moderna para altas velocidades. temperatura, alta potencia, alta presión, alta frecuencia e resistencia á radiación e outras condicións duras.Ten importantes perspectivas de aplicación nos campos da defensa nacional, aviación, aeroespacial, exploración de petróleo, almacenamento óptico, etc., e pode reducir a perda de enerxía en máis do 50% en moitas industrias estratéxicas como as comunicacións de banda ancha, a enerxía solar, a fabricación de automóbiles, etc. a iluminación de semicondutores e a rede intelixente, podendo reducir o volume dos equipos en máis do 75%, o que ten unha importancia histórica para o desenvolvemento da ciencia e tecnoloxía humana.

A enerxía Semicera pode proporcionar aos clientes un substrato de carburo de silicio condutor (condutor), semiillante (semiillante), HPSI (semiillante de alta pureza);Ademais, podemos proporcionar aos clientes follas epitaxiais de carburo de silicio homoxéneas e heteroxéneas;Tamén podemos personalizar a folla epitaxial segundo as necesidades específicas dos clientes e non hai cantidade mínima de pedido.