Oblea HPSI SiC de 6 polgadas

Breve descrición:

As obleas HPSI SiC semi-aislantes de 6 polgadas de Semicera están deseñadas para a máxima eficiencia e fiabilidade na electrónica de alto rendemento. Estas obleas presentan excelentes propiedades térmicas e eléctricas, polo que son idóneas para unha variedade de aplicacións, incluíndo dispositivos de alimentación e electrónica de alta frecuencia. Escolla Semicera para obter unha calidade e innovación superiores.


Detalle do produto

Etiquetas de produtos

As obleas HPSI SiC semi-aislantes de 6 polgadas de Semicera están deseñadas para satisfacer as rigorosas demandas da tecnoloxía moderna de semicondutores. Cunha pureza e consistencia excepcional, estas obleas serven como base fiable para o desenvolvemento de compoñentes electrónicos de alta eficiencia.

Estas obleas HPSI SiC son coñecidas pola súa excelente condutividade térmica e illamento eléctrico, que son fundamentais para optimizar o rendemento dos dispositivos de potencia e dos circuítos de alta frecuencia. As propiedades semi-isolantes axudan a minimizar as interferencias eléctricas e maximizar a eficiencia do dispositivo.

O proceso de fabricación de alta calidade empregado por Semicera garante que cada oblea teña un grosor uniforme e defectos de superficie mínimos. Esta precisión é esencial para aplicacións avanzadas como dispositivos de radiofrecuencia, inversores de enerxía e sistemas LED, onde o rendemento e a durabilidade son factores clave.

Ao aproveitar as técnicas de produción de última xeración, Semicera ofrece obleas que non só cumpren os estándares da industria, senón que superan. O tamaño de 6 polgadas ofrece flexibilidade para ampliar a produción, atendendo tanto a investigación como a aplicacións comerciais no sector dos semicondutores.

Escoller as obleas HPSI SiC semi-aislantes de 6 polgadas de Semicera significa investir nun produto que ofreza calidade e rendemento constantes. Estas obleas forman parte do compromiso de Semicera para avanzar nas capacidades da tecnoloxía de semicondutores a través de materiais innovadores e unha artesanía meticulosa.

Elementos

Produción

Investigación

Maniquí

Parámetros de cristal

Politipo

4H

Erro de orientación da superficie

<11-20 >4±0,15°

Parámetros eléctricos

Dopante

Nitróxeno tipo n

Resistividade

0,015-0,025 ohmios·cm

Parámetros mecánicos

Diámetro

150,0 ± 0,2 mm

Espesor

350 ± 25 μm

Orientación plana primaria

[1-100]±5°

Lonxitude plana primaria

47,5 ± 1,5 mm

Piso secundario

Ningún

TTV

≤5 μm

≤10 μm

≤15 μm

LTV

≤3 μm (5mm*5mm)

≤5 μm (5mm*5mm)

≤10 μm (5mm*5mm)

Proa

-15 μm ~ 15 μm

-35 μm ~ 35 μm

-45 μm ~ 45 μm

Deformación

≤35 μm

≤45 μm

≤55 μm

Rugosidade frontal (Si-face) (AFM)

Ra ≤ 0,2 nm (5 μm * 5 μm)

Estrutura

Densidade de microtubos

<1 ea/cm2

<10 ea/cm2

<15 ea/cm2

Impurezas metálicas

≤5E10 átomos/cm2

NA

BPD

≤1500 ea/cm2

≤3000 ea/cm2

NA

TSD

≤500 ea/cm2

≤1000 ea/cm2

NA

Calidade frontal

Fronte

Si

Acabado superficial

CMP Si-face

Partículas

≤60ea/oblea (tamaño ≥0,3μm)

NA

Raiaduras

≤5 unidades/mm. Lonxitude acumulada ≤Diámetro

Lonxitude acumulada ≤ 2 * Diámetro

NA

Casca de laranxa/focos/manchas/estrías/fechas/contaminación

Ningún

NA

Fichas de borde/sangrías/fracturas/placas hexagonales

Ningún

Áreas politípicas

Ningún

Área acumulada ≤ 20%

Área acumulada ≤ 30%

Marcado frontal con láser

Ningún

Calidade traseira

Acabado traseiro

C-face CMP

Raiaduras

≤5ea/mm,Lonxitude acumulada≤2*Diámetro

NA

Defectos posteriores (fichas de bordo/sangrías)

Ningún

Rugosidade nas costas

Ra ≤ 0,2 nm (5 μm * 5 μm)

Marcado láser traseiro

1 mm (desde o borde superior)

Borde

Borde

Chaflán

Embalaxe

Embalaxe

Epi-ready con envasado ao baleiro

Embalaxe de casetes multiwafer

*Notas: "NA" significa que non hai solicitude. Os elementos non mencionados poden referirse a SEMI-STD.

tech_1_2_tamaño
Obleas de SiC

  • Anterior:
  • Seguinte: