Semicerapresenta oOblea Epi GaN-on-Si de alta potencia de 850 V, un avance na innovación de semicondutores. Esta oblea epi avanzada combina a alta eficiencia do nitruro de galio (GaN) coa rendibilidade do silicio (Si), creando unha solución poderosa para aplicacións de alta tensión.
Características principais:
•Manipulación de alta tensión: Deseñado para soportar ata 850 V, este GaN-on-Si Epi Wafer é ideal para a electrónica de potencia esixente, o que permite unha maior eficiencia e rendemento.
•Densidade de potencia mellorada: Cunha mobilidade de electróns e condutividade térmica superiores, a tecnoloxía GaN permite deseños compactos e unha maior densidade de potencia.
•Solución Rentable: Ao aproveitar o silicio como substrato, esta oblea epi ofrece unha alternativa rendible ás obleas tradicionais de GaN, sen comprometer a calidade nin o rendemento.
•Amplio rango de aplicacións: Perfecto para o seu uso en conversores de enerxía, amplificadores de RF e outros dispositivos electrónicos de alta potencia, garantindo fiabilidade e durabilidade.
Explora o futuro da tecnoloxía de alta tensión con Semicera'sOblea Epi GaN-on-Si de alta potencia de 850 V. Deseñado para aplicacións de vangarda, este produto garante que os seus dispositivos electrónicos funcionen coa máxima eficiencia e fiabilidade. Escolla Semicera para as súas necesidades de semicondutores de próxima xeración.
| Elementos | Produción | Investigación | Maniquí |
| Parámetros de cristal | |||
| Politipo | 4H | ||
| Erro de orientación da superficie | <11-20 >4±0,15° | ||
| Parámetros eléctricos | |||
| Dopante | Nitróxeno tipo n | ||
| Resistividade | 0,015-0,025 ohmios·cm | ||
| Parámetros mecánicos | |||
| Diámetro | 150,0 ± 0,2 mm | ||
| Espesor | 350 ± 25 μm | ||
| Orientación plana primaria | [1-100]±5° | ||
| Lonxitude plana primaria | 47,5 ± 1,5 mm | ||
| Piso secundario | Ningún | ||
| TTV | ≤5 μm | ≤10 μm | ≤15 μm |
| LTV | ≤3 μm (5mm*5mm) | ≤5 μm (5mm*5mm) | ≤10 μm (5mm*5mm) |
| Proa | -15 μm ~ 15 μm | -35 μm ~ 35 μm | -45 μm ~ 45 μm |
| Deformación | ≤35 μm | ≤45 μm | ≤55 μm |
| Rugosidade frontal (Si-face) (AFM) | Ra ≤ 0,2 nm (5 μm * 5 μm) | ||
| Estrutura | |||
| Densidade de microtubos | <1 ea/cm2 | <10 ea/cm2 | <15 ea/cm2 |
| Impurezas metálicas | ≤5E10 átomos/cm2 | NA | |
| BPD | ≤1500 ea/cm2 | ≤3000 ea/cm2 | NA |
| TSD | ≤500 ea/cm2 | ≤1000 ea/cm2 | NA |
| Calidade frontal | |||
| Fronte | Si | ||
| Acabado superficial | CMP Si-face | ||
| Partículas | ≤60ea/oblea (tamaño ≥0,3μm) | NA | |
| Raiaduras | ≤5 unidades/mm. Lonxitude acumulada ≤Diámetro | Lonxitude acumulada ≤ 2 * Diámetro | NA |
| Casca de laranxa/focos/manchas/estrías/fechas/contaminación | Ningún | NA | |
| Fichas de borde/sangrías/fracturas/placas hexagonales | Ningún | ||
| Áreas politípicas | Ningún | Área acumulada ≤ 20% | Área acumulada ≤ 30% |
| Marcado frontal con láser | Ningún | ||
| Calidade traseira | |||
| Acabado traseiro | C-face CMP | ||
| Raiaduras | ≤5ea/mm,Lonxitude acumulada≤2*Diámetro | NA | |
| Defectos posteriores (fichas de bordo/sangrías) | Ningún | ||
| Rugosidade nas costas | Ra ≤ 0,2 nm (5 μm * 5 μm) | ||
| Marcado láser traseiro | 1 mm (desde o borde superior) | ||
| Borde | |||
| Borde | Chaflán | ||
| Embalaxe | |||
| Embalaxe | Epi-ready con envasado ao baleiro Embalaxe de casetes multiwafer | ||
| *Notas: "NA" significa que non hai solicitude. Os elementos non mencionados poden referirse a SEMI-STD. | |||
