Bandeja MOCVD revestida de SiC de alta pureza antioxidación

Bandexa MOCVD recuberta de SiC de alta pureza antioxidación Imaxe destacada

Breve descrición:

Semicera Energy Technology Co., Ltd. é un provedor líder especializado en obleas e consumibles de semicondutores avanzados.Dedicámonos a ofrecer produtos de alta calidade, fiables e innovadores para a fabricación de semicondutores,industria fotovoltaicae outros campos relacionados.

A nosa liña de produtos inclúe produtos de grafito revestidos de SiC/TaC e produtos cerámicos, que inclúen diversos materiais como carburo de silicio, nitruro de silicio e óxido de aluminio, etc.

Como provedor de confianza, entendemos a importancia dos consumibles no proceso de fabricación e estamos comprometidos en ofrecer produtos que cumpran os máis altos estándares de calidade para satisfacer as necesidades dos nosos clientes.

Envíanos un correo electrónico

Detalle do produto

Etiquetas de produtos

Descrición

A nosa empresa ofreceRevestimento de SiCServizos de proceso mediante o método CVD na superficie de grafito, cerámica e outros materiais, de xeito que os gases especiais que conteñen carbono e silicio reaccionen a alta temperatura para obter moléculas de SiC de alta pureza, moléculas depositadas na superficie dos materiais revestidos, formando unCapa protectora de SiC.

Características principais

1. Resistencia á oxidación a alta temperatura:
a resistencia á oxidación aínda é moi boa cando a temperatura é tan alta como 1600 C.
2. Alta pureza: feita por deposición química de vapor en condicións de cloración a alta temperatura.
3. Resistencia á erosión: alta dureza, superficie compacta, partículas finas.
4. Resistencia á corrosión: ácido, álcali, sal e reactivos orgánicos.

Especificacións principais do revestimento CVD-SIC

Propiedades SiC-CVD
Estrutura cristalina	Fase β de FCC
Densidade	g/cm³	3.21
Dureza	Dureza Vickers	2500
Tamaño de gran	μm	2~10
Pureza Química	%	99,99995
Capacidade calorífica	J·kg-1 ·K-1	640
Temperatura de sublimación	℃	2700
Forza felexural	MPa (RT de 4 puntos)	415
Módulo de Young	Gpa (cobra de 4 puntos, 1300 ℃)	430
Expansión térmica (CTE)	10-6K-1	4.5
Condutividade térmica	(W/mK)	300