Semicera ten o orgullo de presentarGa2O3Substrato, un material de vangarda disposto a revolucionar a electrónica de potencia e a optoelectrónica.Óxido de galio (Ga2O3) substratosson coñecidos pola súa banda ultra-ancha, polo que son ideais para dispositivos de alta potencia e alta frecuencia.
Características principais:
• Ultra-Wide Bandgap: Ga2O3 ofrece un intervalo de banda de aproximadamente 4,8 eV, o que mellora significativamente a súa capacidade de manexar altas tensións e temperaturas en comparación cos materiais tradicionais como o silicio e o GaN.
• Alta tensión de avaría: cun campo de avaría excepcional, oGa2O3Substratoé perfecto para dispositivos que requiren un funcionamento de alta tensión, garantindo unha maior eficiencia e fiabilidade.
• Estabilidade térmica: a estabilidade térmica superior do material faino axeitado para aplicacións en ambientes extremos, mantendo o rendemento mesmo en condicións duras.
• Aplicacións versátiles: ideal para o seu uso en transistores de potencia de alta eficiencia, dispositivos optoelectrónicos UV e moito máis, proporcionando unha base sólida para sistemas electrónicos avanzados.
Experimenta o futuro da tecnoloxía de semicondutores con SemiceraGa2O3Substrato. Deseñado para satisfacer as crecentes demandas de electrónica de alta potencia e alta frecuencia, este substrato establece un novo estándar de rendemento e durabilidade. Confía en Semicera para ofrecer solucións innovadoras para as túas aplicacións máis desafiantes.
| Elementos | Produción | Investigación | Maniquí |
| Parámetros de cristal | |||
| Politipo | 4H | ||
| Erro de orientación da superficie | <11-20 >4±0,15° | ||
| Parámetros eléctricos | |||
| Dopante | Nitróxeno tipo n | ||
| Resistividade | 0,015-0,025 ohmios·cm | ||
| Parámetros mecánicos | |||
| Diámetro | 150,0 ± 0,2 mm | ||
| Espesor | 350 ± 25 μm | ||
| Orientación plana primaria | [1-100]±5° | ||
| Lonxitude plana primaria | 47,5 ± 1,5 mm | ||
| Piso secundario | Ningún | ||
| TTV | ≤5 μm | ≤10 μm | ≤15 μm |
| LTV | ≤3 μm (5mm*5mm) | ≤5 μm (5mm*5mm) | ≤10 μm (5mm*5mm) |
| Proa | -15 μm ~ 15 μm | -35 μm ~ 35 μm | -45 μm ~ 45 μm |
| Deformación | ≤35 μm | ≤45 μm | ≤55 μm |
| Rugosidade frontal (Si-face) (AFM) | Ra ≤ 0,2 nm (5 μm * 5 μm) | ||
| Estrutura | |||
| Densidade de microtubos | <1 ea/cm2 | <10 ea/cm2 | <15 ea/cm2 |
| Impurezas metálicas | ≤5E10 átomos/cm2 | NA | |
| BPD | ≤1500 ea/cm2 | ≤3000 ea/cm2 | NA |
| TSD | ≤500 ea/cm2 | ≤1000 ea/cm2 | NA |
| Calidade frontal | |||
| Fronte | Si | ||
| Acabado superficial | CMP Si-face | ||
| Partículas | ≤60ea/oblea (tamaño ≥0,3μm) | NA | |
| Raiaduras | ≤5 unidades/mm. Lonxitude acumulada ≤Diámetro | Lonxitude acumulada ≤ 2 * Diámetro | NA |
| Casca de laranxa/focos/manchas/estrías/grietas/contaminación | Ningún | NA | |
| Fichas de borde/sanges/fracturas/placas hexagonales | Ningún | ||
| Áreas politípicas | Ningún | Área acumulada ≤ 20% | Área acumulada ≤ 30% |
| Marcado frontal con láser | Ningún | ||
| Calidade traseira | |||
| Acabado traseiro | C-face CMP | ||
| Raiaduras | ≤5ea/mm,Lonxitude acumulada≤2*Diámetro | NA | |
| Defectos posteriores (fichas de bordo/sangrías) | Ningún | ||
| Rugosidade nas costas | Ra ≤ 0,2 nm (5 μm * 5 μm) | ||
| Marcado láser traseiro | 1 mm (desde o borde superior) | ||
| Borde | |||
| Borde | Chaflán | ||
| Embalaxe | |||
| Embalaxe | Epi-ready con envasado ao baleiro Embalaxe de casetes multiwafer | ||
| *Notas: "NA" significa que non hai solicitude. Os elementos non mencionados poden referirse a SEMI-STD. | |||
