Descrición
O susceptor de grafito conRevestimento de carburo de silicio, 6 pezasPorta obleas de 6 polgadasde semicera ofrece unha durabilidade e condutividade térmica excepcional para aplicacións de crecemento epitaxial de alto rendemento. Semicera está especializada en susceptores avanzados deseñados para mellorar procesos comoSi epitaxiaeEpitaxia SiC, garantindo un rendemento fiable en ambientes de semicondutores esixentes.
Este susceptor está deseñado específicamente para o seu usoSusceptor MOCVDsistemas e ofrece compatibilidade con varios operadores, como PSS Etching Carrier, ICP Etching Carrier e RTP Carrier. É ideal para a produción de silicio monocristalino e as configuracións de Susceptor Epitaxial LED, ofrecendo versatilidade en diferentes configuracións, incluíndo deseños de Susceptor de barril e Susceptor de panqueca.
O susceptor de grafito con revestimento de carburo de silicio tamén admite aplicacións no sector da enerxía solar mediante a súa integración con pezas fotovoltaicas e destaca en GaN nos procesos de epitaxia SiC. A súa capacidade de transporte de obleas de 6 polgadas garante un alto rendemento, polo que é unha ferramenta esencial para os fabricantes das industrias de semicondutores e fotovoltaica.
Características principais
1 .Grafito revestido de SiC de alta pureza
2. Resistencia á calor superior e uniformidade térmica
3. BenRevestimento de cristal SiCpara unha superficie lisa
4. Alta durabilidade fronte á limpeza química
Especificacións principais dos revestimentos CVD-SIC:
SiC-CVD | ||
Densidade | (g/cc) | 3.21 |
Resistencia á flexión | (Mpa) | 470 |
Expansión térmica | (10-6/K) | 4 |
Condutividade térmica | (W/mK) | 300 |
Embalaxe e envío
Capacidade de subministración:
10000 unidades/unidades por mes
Embalaxe e entrega:
Embalaxe: embalaxe estándar e forte
Bolsa de polietileno + caixa + cartón + palés
Porto:
Ningbo/Shenzhen/Xangai
Prazo de entrega:
Cantidade (unidades) | 1-1000 | > 1000 |
Est. Tempo (días) | 30 | Para ser negociado |