Paleta de carburo de silicio de alta pureza

Breve descrición:

A paleta de carburo de silicio de alta pureza Semicera está deseñada para aplicacións avanzadas de semicondutores, proporcionando unha estabilidade térmica e resistencia mecánica superiores. Esta paleta de SiC garante un manexo preciso da oblea, polo que é unha opción ideal para ambientes de alta temperatura. Póñase en contacto connosco para consultas!


Detalle do produto

Etiquetas de produtos

Semicera de alta purezaPala de carburo de silicioestá meticulosamente deseñada para satisfacer as estritas demandas dos modernos procesos de fabricación de semicondutores. IstoPala Cantilever SiCdestaca en ambientes de alta temperatura, ofrecendo unha estabilidade térmica e unha durabilidade mecánica incomparables. A estrutura Cantilever de SiC está construída para soportar condicións extremas, garantindo unha manipulación fiable das obleas durante varios procesos.

Unha das principais novidades doPadel SiCé o seu deseño lixeiro pero robusto, que permite unha fácil integración nos sistemas existentes. A súa alta condutividade térmica axuda a manter a estabilidade da oblea durante as fases críticas, como o gravado e a deposición, minimizando o risco de danos na oblea e garantindo maiores rendementos de produción. O uso de carburo de silicio de alta densidade na construción da paleta mellora a súa resistencia ao desgaste, proporcionando unha vida útil prolongada e reducindo a necesidade de substitucións frecuentes.

Semicera pon un gran énfase na innovación, ofrecendo aPala Cantilever SiCque non só cumpre senón que supera os estándares da industria. Esta paleta está optimizada para o seu uso en varias aplicacións de semicondutores, desde a deposición ata o gravado, onde a precisión e a fiabilidade son cruciais. Ao integrar esta tecnoloxía de punta, os fabricantes poden esperar unha eficiencia mellorada, custos de mantemento reducidos e unha calidade constante do produto.

Propiedades físicas do carburo de silicio recristalizado

Propiedade

Valor típico

Temperatura de traballo (°C)

1600 °C (con osíxeno), 1700 °C (ambiente redutor)

Contido de SiC

> 99,96 %

Contido Si gratuíto

< 0,1 %

Densidade aparente

2,60-2,70 g/cm3

Porosidade aparente

< 16 %

Resistencia a compresión

> 600 MPa

Resistencia á flexión en frío

80-90 MPa (20 °C)

Resistencia á flexión en quente

90-100 MPa (1400 °C)

Expansión térmica @1500°C

4,70 10-6/°C

Condutividade térmica @1200°C

23 W/m•K

Módulo elástico

240 GPa

Resistencia ao choque térmico

Moi bo

0f75f96b9a8d9016a504c0c47e59375
Lugar de traballo Semicera
Lugar de traballo semicera 2
Máquina de equipamento
Procesamento CNN, limpeza química, revestimento CVD
Almacén Semicera
O noso servizo

  • Anterior:
  • Seguinte: