Semicera presenta personalizados de alta calidadepalas en voladizo de carburo de silicioelaborado para elevar os procesos de fabricación de semicondutores. O innovadorPala SiCO deseño garante unha durabilidade excepcional e unha alta resistencia térmica, polo que é un compoñente esencial para a manipulación de obleas en ambientes difíciles de alta temperatura.
OPaleta de carburo de silicioestá construído para soportar ciclos térmicos extremos mantendo a integridade estrutural, garantindo un transporte fiable de obleas durante as fases críticas da produción de semicondutores. Con resistencia mecánica superior, istobarco de obleasminimiza o risco de danos ás obleas, o que leva a maiores rendementos e unha calidade de produción consistente.
Unha das principais novidades na pá SiC de Semicera reside nas súas opcións de deseño personalizado. Adaptada para satisfacer necesidades de produción específicas, a paleta ofrece flexibilidade na integración con varias configuracións de equipos, polo que é unha solución ideal para os procesos de fabricación modernos. A construción lixeira pero robusta permite un manexo sinxelo e reduce o tempo de inactividade operacional, contribuíndo a mellorar a eficiencia na produción de semicondutores.
Ademais das súas propiedades térmicas e mecánicas, oPaleta de carburo de silicioofrece unha excelente resistencia química, o que lle permite funcionar de forma fiable incluso en ambientes químicos duros. Isto fai que sexa especialmente axeitado para o seu uso en procesos que impliquen gravado, deposición e tratamento a alta temperatura, onde manter a integridade do barco de obleas é fundamental para garantir saídas de alta calidade.
Propiedades físicas do carburo de silicio recristalizado | |
Propiedade | Valor típico |
Temperatura de traballo (°C) | 1600 °C (con osíxeno), 1700 °C (ambiente redutor) |
Contido de SiC | > 99,96 % |
Contido Si gratuíto | < 0,1 % |
Densidade aparente | 2,60-2,70 g/cm3 |
Porosidade aparente | < 16 % |
Resistencia a compresión | > 600 MPa |
Resistencia á flexión en frío | 80-90 MPa (20 °C) |
Resistencia á flexión en quente | 90-100 MPa (1400 °C) |
Expansión térmica @1500°C | 4,70 10-6/°C |
Condutividade térmica @1200°C | 23 W/m•K |
Módulo elástico | 240 GPa |
Resistencia ao choque térmico | Moi bo |