Substrato InP e CdTe

Breve descrición:

As solucións de substrato InP e CdTe de Semicera están deseñadas para aplicacións de alto rendemento nas industrias de semicondutores e enerxía solar. Os nosos substratos InP (fosfuro de indio) e CdTe (telururo de cadmio) ofrecen propiedades materiais excepcionais, incluíndo alta eficiencia, excelente condutividade eléctrica e robusta estabilidade térmica. Estes substratos son ideais para o seu uso en dispositivos optoelectrónicos avanzados, transistores de alta frecuencia e células solares de película fina, proporcionando unha base fiable para tecnoloxías de punta.


Detalle do produto

Etiquetas de produtos

Co de SemiceraSubstrato InP e CdTe, pode esperar calidade e precisión superiores deseñadas para satisfacer as necesidades específicas dos seus procesos de fabricación. Xa sexa para aplicacións fotovoltaicas ou dispositivos semicondutores, os nosos substratos están elaborados para garantir un rendemento, durabilidade e consistencia óptimos. Como provedor de confianza, Semicera comprométese a ofrecer solucións de substrato personalizables de alta calidade que impulsen a innovación nos sectores da electrónica e das enerxías renovables.

Propiedades cristalinas e eléctricas1

Tipo
Dopante
EPD (cm–2)(Ver abaixo A.)
Área DF (libre de defectos) (cm2, Vexa a continuación B.)
c/(c cm–3
Mobilidade (y cm2/Vs)
Resistencia (y Ω・cm)
n
Sn
≦5×104
≦1×104
≦5×103
──────
 

(0,5〜6)×1018
──────
──────
n
S
──────
≧ 10(59,4%)
≧ 15(87%).4
(2〜10)×1018
──────
──────
p
Zn
──────
≧ 10(59,4%)
≧ 15(87%).
(3〜6)×1018
──────
──────
SI
Fe
≦5×104
≦1×104
──────
──────
──────
≧ 1×106
n
ningún
≦5×104
──────
≦1×1016
≧ 4×103
──────
1 Outras especificacións están dispoñibles baixo solicitude.

A.13 Puntos Media

1. As densidades de fosas de gravación de luxación mídense en 13 puntos.

2. Calcúlase a media ponderada por área das densidades de dislocación.

Medición de área B.DF (en caso de garantía de área)

1. Contanse as densidades de fosas de gravado de luxación de 69 puntos que se indican á dereita.

2. DF defínese como EPD inferior a 500 cm–2
3. A área DF máxima medida por este método é de 17,25 cm2
Substrato InP e CdTe (2)
Substrato InP e CdTe (1)
Substrato InP e CdTe (3)

Especificacións comúns dos substratos monocristais InP

1. Orientación
Orientación da superficie (100)±0,2º ou (100)±0,05º
A orientación de superficie está dispoñible baixo petición.
Orientación do plano OF: (011)±1º ou (011)±0,1º IF: (011)±2º
Cleaved OF está dispoñible baixo petición.
2. Está dispoñible o marcado con láser baseado no estándar SEMI.
3. Están dispoñibles paquetes individuais, así como paquetes en gas N2.
4. Dispoñible de Etch-and-pack en gas N2.
5. Hai obleas rectangulares dispoñibles.
A especificación anterior é do estándar JX.
Se se precisan outras especificacións, consúltanos.

Orientación

 

Substrato InP e CdTe (4) (1)
Lugar de traballo Semicera
Lugar de traballo semicera 2
Máquina de equipamento
Procesamento CNN, limpeza química, revestimento CVD
Almacén Semicera
O noso servizo

  • Anterior:
  • Seguinte: