Susceptor MOCVD para o crecemento epitaxial

O susceptor MOCVD para o crecemento epitaxial por semicera, unha solución líder deseñada para optimizar o proceso de crecemento epitaxial para aplicacións avanzadas de semicondutores. O susceptor MOCVD de Semicera garante un control preciso sobre a temperatura e a deposición de material, polo que é a opción ideal para conseguir unha epitaxia de Si e unha epitaxia de SiC de alta calidade. A súa construción robusta e alta condutividade térmica permiten un rendemento consistente en ambientes esixentes, garantindo a fiabilidade necesaria para os sistemas de crecemento epitaxial.

Este susceptor MOCVD é compatible con varias aplicacións epitaxiais, incluíndo a produción de silicio monocristalino e o crecemento de GaN na epitaxia de SiC, polo que é un compoñente esencial para os fabricantes que buscan resultados de primeiro nivel. Ademais, funciona perfectamente cos sistemas PSS Etching Carrier, ICP Etching Carrier e RTP Carrier, mellorando a eficiencia e o rendemento do proceso. O susceptor tamén é axeitado para aplicacións de LED Epitaxial Susceptor e outros procesos avanzados de fabricación de semicondutores.

Co seu deseño versátil, o susceptor MOCVD de semicera pódese adaptar para o seu uso en Susceptores Pancake e Barrel Susceptors, ofrecendo flexibilidade en diferentes configuracións de produción. A integración de pezas fotovoltaicas amplía aínda máis a súa aplicación, polo que é ideal tanto para a industria de semicondutores como para a solar. Esta solución de alto rendemento ofrece unha excelente estabilidade térmica e durabilidade, garantindo a eficiencia a longo prazo nos procesos de crecemento epitaxial.