Carburo de silicio a granel CVD (SiC)
Visión xeral:CVDCarburo de silicio a granel (SiC)é un material moi demandado en equipos de gravado por plasma, aplicacións de procesamento térmico rápido (RTP) e outros procesos de fabricación de semicondutores. As súas excepcionais propiedades mecánicas, químicas e térmicas fan que sexa un material ideal para aplicacións de tecnoloxía avanzada que esixen alta precisión e durabilidade.
Aplicacións de CVD Bulk SiC:O SiC a granel é crucial na industria de semicondutores, especialmente nos sistemas de gravado por plasma, onde os compoñentes como os aneis de enfoque, as duchas de gas, os aneis de bordo e as placas se benefician da excelente resistencia á corrosión e condutividade térmica do SiC. O seu uso esténdese aRTPsistemas debido á capacidade do SiC para soportar rápidas flutuacións de temperatura sen degradación significativa.
Ademais de equipos de grabado, CVDSiC a granelé favorecida en fornos de difusión e procesos de crecemento de cristais, onde se require unha alta estabilidade térmica e resistencia a ambientes químicos duros. Estes atributos fan que o SiC sexa o material preferido para aplicacións de alta demanda que impliquen altas temperaturas e gases corrosivos, como os que conteñen cloro e flúor.
Vantaxes dos compoñentes CVD Bulk SiC:
•Alta densidade:Cunha densidade de 3,2 g/cm³,CVD a granel SiCos compoñentes son moi resistentes ao desgaste e ao impacto mecánico.
•Condutividade térmica superior:Ofrecendo unha condutividade térmica de 300 W/m·K, o SiC a granel xestiona a calor de forma eficiente, polo que é ideal para compoñentes expostos a ciclos térmicos extremos.
•Resistencia química excepcional:A baixa reactividade do SiC cos gases de gravado, incluídos os produtos químicos baseados en cloro e flúor, garante unha vida útil prolongada dos compoñentes.
•Resistividad axustable: CVD a granel SiCA resistividade pódese personalizar dentro do intervalo de 10⁻²–10⁴ Ω-cm, facéndoo adaptable ás necesidades específicas de gravado e fabricación de semicondutores.
•Coeficiente de expansión térmica:Cun coeficiente de expansión térmica de 4,8 x 10⁻⁶/°C (25–1000°C), o SiC a granel CVD resiste o choque térmico, mantendo a estabilidade dimensional mesmo durante ciclos rápidos de quecemento e arrefriamento.
•Durabilidade no plasma:A exposición ao plasma e aos gases reactivos é inevitable nos procesos de semicondutores, peroCVD a granel SiCofrece unha resistencia superior á corrosión e á degradación, reducindo a frecuencia de substitución e os custos xerais de mantemento.
Especificacións técnicas:
•Diámetro:Maior de 305 mm
•Resistividad:Axustable entre 10⁻²–10⁴ Ω-cm
•Densidade:3,2 g/cm³
•Condutividade térmica:300 W/m·K
•Coeficiente de expansión térmica:4,8 x 10⁻⁶/°C (25–1000°C)
Personalización e flexibilidade:ÁsSemicera Semiconductor, entendemos que cada aplicación de semicondutores pode requirir especificacións diferentes. É por iso que os nosos compoñentes de SiC a granel CVD son totalmente personalizables, con resistividade axustable e dimensións adaptadas ás súas necesidades de equipamento. Tanto se estás optimizando os teus sistemas de gravado por plasma como se buscas compoñentes duradeiros en procesos de RTP ou de difusión, o noso SiC a granel CVD ofrece un rendemento incomparable.
