Si epitaxia

Breve descrición:

Si epitaxia– Consigue un rendemento superior do dispositivo con Si Epitaxy de Semicera, que ofrece capas de silicio cultivadas con precisión para aplicacións avanzadas de semicondutores.


Detalle do produto

Etiquetas de produtos

Semicerapresenta a súa alta calidadeSi epitaxiaservizos, deseñados para cumprir os estrictos estándares da industria de semicondutores actual. As capas de silicio epitaxiais son fundamentais para o rendemento e a fiabilidade dos dispositivos electrónicos, e as nosas solucións Si Epitaxy garanten que os seus compoñentes acaden unha funcionalidade óptima.

Capas de silicio cultivadas con precisión Semiceraentende que a base dos dispositivos de alto rendemento reside na calidade dos materiais empregados. O nosoSi epitaxiaO proceso está meticulosamente controlado para producir capas de silicio cunha uniformidade e integridade cristalinas excepcionales. Estas capas son esenciais para aplicacións que van desde a microelectrónica ata dispositivos de potencia avanzados, onde a consistencia e a fiabilidade son primordiales.

Optimizado para o rendemento do dispositivoOSi epitaxiaos servizos que ofrece Semicera están adaptados para mellorar as propiedades eléctricas dos teus dispositivos. Ao cultivar capas de silicio de alta pureza con baixas densidades de defectos, garantimos que os seus compoñentes funcionan ao máximo, cunha mobilidade de portadores mellorada e unha resistividade eléctrica minimizada. Esta optimización é fundamental para acadar as características de alta velocidade e alta eficiencia que demanda a tecnoloxía moderna.

Versatilidade en aplicacións Semicera'sSi epitaxiaé axeitado para unha ampla gama de aplicacións, incluíndo a produción de transistores CMOS, MOSFET de potencia e transistores de unión bipolar. O noso proceso flexible permite a personalización en función dos requisitos específicos do teu proxecto, tanto se necesitas capas finas para aplicacións de alta frecuencia como capas máis grosas para dispositivos de enerxía.

Calidade superior do materialA calidade é o centro de todo o que facemos en Semicera. O nosoSi epitaxiaO proceso utiliza equipos e técnicas de última xeración para garantir que cada capa de silicio cumpra os máis altos estándares de pureza e integridade estrutural. Esta atención ao detalle minimiza a aparición de defectos que poden afectar o rendemento do dispositivo, o que resulta en compoñentes máis fiables e máis duradeiros.

Compromiso coa Innovación Semiceraaposta por manterse á vangarda da tecnoloxía de semicondutores. O nosoSi epitaxiaservizos reflicten este compromiso, incorporando os últimos avances nas técnicas de crecemento epitaxial. Refinamos continuamente os nosos procesos para ofrecer capas de silicio que satisfagan as necesidades en evolución da industria, garantindo que os seus produtos sigan sendo competitivos no mercado.

Solucións a medida para as súas necesidadesEntendendo que cada proxecto é único,Semiceraofertas personalizadasSi epitaxiasolucións para satisfacer as súas necesidades específicas. Se necesitas perfís de dopaxe, espesores de capa ou acabados de superficie, o noso equipo traballa en estreita colaboración contigo para entregar un produto que cumpra as túas especificacións precisas.

Elementos

Produción

Investigación

Maniquí

Parámetros de cristal

Politipo

4H

Erro de orientación da superficie

<11-20 >4±0,15°

Parámetros eléctricos

Dopante

Nitróxeno tipo n

Resistividade

0,015-0,025 ohmios·cm

Parámetros mecánicos

Diámetro

150,0 ± 0,2 mm

Espesor

350 ± 25 μm

Orientación plana primaria

[1-100]±5°

Lonxitude plana primaria

47,5 ± 1,5 mm

Piso secundario

Ningún

TTV

≤5 μm

≤10 μm

≤15 μm

LTV

≤3 μm (5mm*5mm)

≤5 μm (5mm*5mm)

≤10 μm (5mm*5mm)

Proa

-15 μm ~ 15 μm

-35 μm ~ 35 μm

-45 μm ~ 45 μm

Deformación

≤35 μm

≤45 μm

≤55 μm

Rugosidade frontal (Si-face) (AFM)

Ra ≤ 0,2 nm (5 μm * 5 μm)

Estrutura

Densidade de microtubos

<1 ea/cm2

<10 ea/cm2

<15 ea/cm2

Impurezas metálicas

≤5E10 átomos/cm2

NA

BPD

≤1500 ea/cm2

≤3000 ea/cm2

NA

TSD

≤500 ea/cm2

≤1000 ea/cm2

NA

Calidade frontal

Fronte

Si

Acabado superficial

CMP Si-face

Partículas

≤60ea/oblea (tamaño ≥0,3μm)

NA

Raiaduras

≤5 unidades/mm. Lonxitude acumulada ≤Diámetro

Lonxitude acumulada ≤ 2 * Diámetro

NA

Casca de laranxa/focos/manchas/estrías/fechas/contaminación

Ningún

NA

Fichas de borde/sangrías/fracturas/placas hexagonales

Ningún

Áreas politípicas

Ningún

Área acumulada ≤ 20%

Área acumulada ≤ 30%

Marcado frontal con láser

Ningún

Calidade traseira

Acabado traseiro

C-face CMP

Raiaduras

≤5ea/mm,Lonxitude acumulada≤2*Diámetro

NA

Defectos posteriores (fichas de bordo/sangrías)

Ningún

Rugosidade nas costas

Ra ≤ 0,2 nm (5 μm * 5 μm)

Marcado láser traseiro

1 mm (desde o borde superior)

Borde

Borde

Chaflán

Embalaxe

Embalaxe

Epi-ready con envasado ao baleiro

Embalaxe de casetes multiwafer

*Notas: "NA" significa que non hai solicitude. Os elementos non mencionados poden referirse a SEMI-STD.

tech_1_2_tamaño
Obleas de SiC

  • Anterior:
  • Seguinte: