Semicerapresenta a súa alta calidadeSi epitaxiaservizos, deseñados para cumprir os estrictos estándares da industria de semicondutores actual. As capas de silicio epitaxiais son fundamentais para o rendemento e a fiabilidade dos dispositivos electrónicos, e as nosas solucións Si Epitaxy garanten que os seus compoñentes acaden unha funcionalidade óptima.
Capas de silicio cultivadas con precisión Semiceraentende que a base dos dispositivos de alto rendemento reside na calidade dos materiais empregados. O nosoSi epitaxiaO proceso está meticulosamente controlado para producir capas de silicio cunha uniformidade e integridade cristalinas excepcionales. Estas capas son esenciais para aplicacións que van desde a microelectrónica ata dispositivos de potencia avanzados, onde a consistencia e a fiabilidade son primordiales.
Optimizado para o rendemento do dispositivoOSi epitaxiaos servizos ofrecidos por Semicera están adaptados para mellorar as propiedades eléctricas dos teus dispositivos. Ao cultivar capas de silicio de alta pureza con baixas densidades de defectos, garantimos que os seus compoñentes funcionan ao máximo, cunha mobilidade de portadores mellorada e unha resistividade eléctrica minimizada. Esta optimización é fundamental para acadar as características de alta velocidade e alta eficiencia que demanda a tecnoloxía moderna.
Versatilidade nas aplicacións Semicera'sSi epitaxiaé axeitado para unha ampla gama de aplicacións, incluíndo a produción de transistores CMOS, MOSFET de potencia e transistores de unión bipolar. O noso proceso flexible permite a personalización en función dos requisitos específicos do teu proxecto, tanto se necesitas capas finas para aplicacións de alta frecuencia como capas máis grosas para dispositivos de enerxía.
Calidade superior do materialA calidade é o centro de todo o que facemos en Semicera. O nosoSi epitaxiaO proceso utiliza equipos e técnicas de última xeración para garantir que cada capa de silicio cumpra os máis altos estándares de pureza e integridade estrutural. Esta atención ao detalle minimiza a aparición de defectos que poden afectar o rendemento do dispositivo, o que resulta en compoñentes máis fiables e máis duradeiros.
Compromiso coa Innovación Semiceraaposta por manterse á vangarda da tecnoloxía de semicondutores. O nosoSi epitaxiaservizos reflicten este compromiso, incorporando os últimos avances en técnicas de crecemento epitaxial. Refinamos continuamente os nosos procesos para ofrecer capas de silicio que satisfagan as necesidades en evolución da industria, garantindo que os seus produtos sigan sendo competitivos no mercado.
Solucións a medida para as súas necesidadesEntendendo que cada proxecto é único,Semiceraofertas personalizadasSi epitaxiasolucións para satisfacer as súas necesidades específicas. Tanto se precisa perfís de dopaxe, espesores de capa ou acabados de superficie, o noso equipo traballa en estreita colaboración contigo para entregar un produto que cumpra as súas especificacións precisas.
Elementos | Produción | Investigación | Maniquí |
Parámetros de cristal | |||
Politipo | 4H | ||
Erro de orientación da superficie | <11-20 >4±0,15° | ||
Parámetros eléctricos | |||
Dopante | Nitróxeno tipo n | ||
Resistividade | 0,015-0,025 ohmios·cm | ||
Parámetros mecánicos | |||
Diámetro | 150,0 ± 0,2 mm | ||
Espesor | 350 ± 25 μm | ||
Orientación plana primaria | [1-100]±5° | ||
Lonxitude plana primaria | 47,5 ± 1,5 mm | ||
Piso secundario | Ningún | ||
TTV | ≤5 μm | ≤10 μm | ≤15 μm |
LTV | ≤3 μm (5mm*5mm) | ≤5 μm (5mm*5mm) | ≤10 μm (5mm*5mm) |
Proa | -15 μm ~ 15 μm | -35 μm ~ 35 μm | -45 μm ~ 45 μm |
Deformación | ≤35 μm | ≤45 μm | ≤55 μm |
Rugosidade frontal (Si-face) (AFM) | Ra ≤ 0,2 nm (5 μm * 5 μm) | ||
Estrutura | |||
Densidade de microtubos | <1 ea/cm2 | <10 unidades/cm2 | <15 ea/cm2 |
Impurezas metálicas | ≤5E10 átomos/cm2 | NA | |
BPD | ≤1500 ea/cm2 | ≤3000 ea/cm2 | NA |
TSD | ≤500 ea/cm2 | ≤1000 ea/cm2 | NA |
Calidade frontal | |||
Fronte | Si | ||
Acabado superficial | CMP Si-face | ||
Partículas | ≤60ea/oblea (tamaño ≥0,3μm) | NA | |
Raiaduras | ≤5 unidades/mm. Lonxitude acumulada ≤Diámetro | Lonxitude acumulada ≤ 2 * Diámetro | NA |
Casca de laranxa/focos/manchas/estrías/fechas/contaminación | Ningún | NA | |
Fichas de borde/sanges/fracturas/placas hexagonales | Ningún | ||
Áreas politípicas | Ningún | Área acumulada ≤ 20% | Área acumulada ≤ 30% |
Marcado frontal con láser | Ningún | ||
Calidade traseira | |||
Acabado traseiro | C-face CMP | ||
Raiaduras | ≤5ea/mm,Lonxitude acumulada≤2*Diámetro | NA | |
Defectos posteriores (fichas de bordo/sangrías) | Ningún | ||
Rugosidade nas costas | Ra ≤ 0,2 nm (5 μm * 5 μm) | ||
Marcado láser traseiro | 1 mm (desde o borde superior) | ||
Borde | |||
Borde | Chaflán | ||
Embalaxe | |||
Embalaxe | Epi-ready con envasado ao baleiro Embalaxe de casetes multiwafer | ||
*Notas: "NA" significa que non hai solicitude. Os elementos non mencionados poden referirse a SEMI-STD. |