Descrición
O portador de epitaxia Semicera GaN está meticulosamente deseñado para satisfacer as estritas demandas da fabricación moderna de semicondutores. Cunha base de materiais de alta calidade e enxeñería de precisión, este transportista destaca polo seu excepcional rendemento e fiabilidade. A integración do revestimento de carburo de silicio (SiC) por deposición química en vapor (CVD) garante unha durabilidade, eficiencia térmica e protección superiores, polo que é unha opción preferida para os profesionais da industria.
Características clave
1. Durabilidade excepcionalO revestimento CVD SiC do portador de epitaxia GaN mellora a súa resistencia ao desgaste, prolongando significativamente a súa vida útil. Esta robustez garante un rendemento consistente mesmo en ambientes de fabricación esixentes, reducindo a necesidade de substitucións e mantementos frecuentes.
2. Eficiencia térmica superiorA xestión térmica é fundamental na fabricación de semicondutores. As propiedades térmicas avanzadas do portador de epitaxia GaN facilitan a disipación de calor eficiente, mantendo condicións de temperatura óptimas durante o proceso de crecemento epitaxial. Esta eficiencia non só mellora a calidade das obleas de semicondutores, senón que tamén mellora a eficiencia global da produción.
3. Capacidades protectorasO revestimento de SiC proporciona unha forte protección contra a corrosión química e os choques térmicos. Isto garante que a integridade do transportista se manteña durante todo o proceso de fabricación, salvagardando os delicados materiais semicondutores e mellorando o rendemento global e a fiabilidade do proceso de fabricación.
Especificacións técnicas:
Aplicacións:
O portador de epitaxia Semicorex GaN é ideal para unha variedade de procesos de fabricación de semicondutores, incluíndo:
• Crecemento epitaxial de GaN
• Procesos de semicondutores a alta temperatura
• Deposición química en vapor (CVD)
• Outras aplicacións avanzadas de fabricación de semicondutores