Disco de carburo de silicio para MOCVD

Breve descrición:

Disco estrela SiC Aplicación: a placa central e os discos SiC úsanse na cámara de reacción MOCVD para o proceso epitaxial de semicondutores compostos III-V.

Somos capaces de deseñar e fabricar de acordo coas súas dimensións específicas con boa calidade e prazo de entrega razoable.

 

Detalle do produto

Etiquetas de produtos

Descrición

ODisco de carburo de siliciopara MOCVD de semicera, unha solución de alto rendemento deseñada para unha eficiencia óptima nos procesos de crecemento epitaxial. O disco de carburo de silicio semicera ofrece unha estabilidade térmica e precisión excepcionales, polo que é un compoñente esencial nos procesos de epitaxia de Si e de epitaxia de SiC. Deseñado para soportar as altas temperaturas e as condicións esixentes das aplicacións MOCVD, este disco garante un rendemento e unha lonxevidade fiables.

O noso disco de carburo de silicio é compatible cunha ampla gama de configuracións MOCVD, incluíndoSusceptor MOCVDsistemas e admite procesos avanzados como GaN en SiC Epitaxy. Tamén se integra sen problemas cos sistemas PSS Etching Carrier, ICP Etching Carrier e RTP Carrier, mellorando a precisión e a calidade da súa produción. Tanto se se usa para a produción de silicio monocristalino como para aplicacións de susceptores epitaxiais LED, este disco garante resultados excepcionais.

Ademais, o disco de carburo de silicio de semicera é adaptable a varias configuracións, incluíndo configuracións de Susceptor Pancake e Susceptor de barril, que ofrece flexibilidade en diversos ambientes de fabricación. A inclusión de pezas fotovoltaicas amplía aínda máis a súa aplicación ás industrias de enerxía solar, converténdoa nun compoñente versátil e indispensable para as industrias modernas.epitaxialcrecemento e fabricación de semicondutores.

 

Características principais

1 .Grafito revestido de SiC de alta pureza

2. Resistencia á calor superior e uniformidade térmica

3. BenRevestimento de cristal SiCpara unha superficie lisa

4. Alta durabilidade fronte á limpeza química

 

Especificacións principais dos revestimentos CVD-SIC:

SiC-CVD
Densidade (g/cc) 3.21
Resistencia á flexión (Mpa) 470
Expansión térmica (10-6/K) 4
Condutividade térmica (W/mK) 300

Embalaxe e envío

Capacidade de subministración:
10000 unidades/unidades por mes
Embalaxe e entrega:
Embalaxe: embalaxe estándar e forte
Bolsa de polietileno + caixa + cartón + palés
Porto:
Ningbo/Shenzhen/Xangai
Prazo de entrega:

Cantidade (unidades)

1-1000

> 1000

Est. Tempo (días) 30 Para ser negociado
Lugar de traballo Semicera
Lugar de traballo semicera 2
Máquina de equipamento
Procesamento CNN, limpeza química, revestimento CVD
Almacén Semicera
O noso servizo

  • Anterior:
  • Seguinte: