Susceptor de obleas de grafito con revestimento de SiC

Breve descrición:

O susceptor de obleas de grafito de revestimento de SiC de Semicera Semiconductor ofrece un rendemento térmico superior e unha durabilidade para o procesamento de obleas. Confíe en Semicera para obter susceptores revestidos de SiC avanzados deseñados para mellorar a eficiencia e a fiabilidade nas aplicacións de semicondutores.


Detalle do produto

Etiquetas de produtos

Descrición

Os susceptores de obleas de SiC de Semicorex para MOCVD (Deposición de vapor químico metal-orgánico) están deseñados para satisfacer as esixentes demandas dos procesos de deposición epitaxial. Utilizando carburo de silicio (SiC) de alta calidade, estes susceptores ofrecen unha durabilidade e un rendemento incomparables en ambientes corrosivos e de alta temperatura, garantindo o crecemento preciso e eficiente dos materiais semicondutores.

Características principais:

1. Propiedades dos materiais superioresConstruídos a partir de SiC de alta calidade, os nosos susceptores de obleas presentan unha condutividade térmica e unha resistencia química excepcionales. Estas propiedades permítenlles soportar as condicións extremas dos procesos MOCVD, incluíndo altas temperaturas e gases corrosivos, o que garante a lonxevidade e un rendemento fiable.

2. Precisión na Deposición EpitaxialA enxeñería precisa dos nosos susceptores de obleas de SiC garante unha distribución uniforme da temperatura na superficie da oblea, facilitando o crecemento da capa epitaxial consistente e de alta calidade. Esta precisión é fundamental para producir semicondutores con propiedades eléctricas óptimas.

3. Durabilidade melloradaO robusto material SiC proporciona unha excelente resistencia ao desgaste e á degradación, incluso baixo a exposición continua a ambientes de proceso duros. Esta durabilidade reduce a frecuencia de substitucións de susceptores, minimizando o tempo de inactividade e os custos operativos.

Aplicacións:

Os susceptores de obleas SiC de Semicorex para MOCVD son idóneos para:

• Crecemento epitaxial de materiais semicondutores

• Procesos MOCVD a alta temperatura

• Produción de GaN, AlN e outros semicondutores compostos

• Aplicacións avanzadas de fabricación de semicondutores

Especificacións principais dos revestimentos CVD-SIC:

微信截图_20240wert729144258

Beneficios:

Alta precisión: Asegura un crecemento epitaxial uniforme e de alta calidade.

Rendemento de longa duración: A durabilidade excepcional reduce a frecuencia de substitución.

• Eficiencia en custos: Minimiza os custos operativos mediante a redución do tempo de inactividade e do mantemento.

Versatilidade: personalizable para adaptarse a varios requisitos do proceso MOCVD.

Lugar de traballo Semicera
Lugar de traballo semicera 2
Máquina de equipamento
Procesamento CNN, limpeza química, revestimento CVD
Almacén Semicera
O noso servizo

  • Anterior:
  • Seguinte: