Descrición
A nosa empresa ofrece servizos de proceso de revestimento de SiC mediante o método CVD na superficie de grafito, cerámica e outros materiais, de xeito que os gases especiais que conteñen carbono e silicio reaccionen a alta temperatura para obter moléculas de SiC de alta pureza, moléculas depositadas na superficie dos materiais revestidos, formando capa protectora SIC.
Características principais
1 .Grafito revestido de SiC de alta pureza
2. Resistencia á calor superior e uniformidade térmica
3. Revestimento de cristal fino de SiC para unha superficie lisa
4. Alta durabilidade fronte á limpeza química
Especificacións principais do revestimento CVD-SIC
Propiedades SiC-CVD | ||
Estrutura cristalina | Fase β de FCC | |
Densidade | g/cm³ | 3.21 |
Dureza | Dureza Vickers | 2500 |
Tamaño de gran | μm | 2~10 |
Pureza Química | % | 99,99995 |
Capacidade calorífica | J·kg-1 ·K-1 | 640 |
Temperatura de sublimación | ℃ | 2700 |
Forza felexural | MPa (RT de 4 puntos) | 415 |
Módulo de Young | Gpa (cobra de 4 puntos, 1300 ℃) | 430 |
Expansión térmica (CTE) | 10-6K-1 | 4.5 |
Condutividade térmica | (W/mK) | 300 |