Descrición
Os susceptores de grafito revestidos de SiC de Semicera están deseñados utilizando substratos de grafito de alta calidade, que están meticulosamente revestidos con carburo de silicio (SiC) mediante procesos avanzados de deposición química en vapor (CVD). Este deseño innovador garante unha resistencia excepcional ao choque térmico e á degradación química, estendendo significativamente a vida útil do susceptor de grafito revestido de SiC e garantindo un rendemento fiable durante todo o proceso de fabricación de semicondutores.
Características principais:
1. Condutividade térmica superiorO susceptor de grafito revestido de SiC presenta unha condutividade térmica excepcional, que é crucial para unha disipación eficiente da calor durante a fabricación de semicondutores. Esta característica minimiza os gradientes térmicos na superficie da oblea, promovendo a distribución uniforme da temperatura esencial para acadar as propiedades de semicondutores desexadas.
2. Robusta resistencia a choques químicos e térmicosO revestimento de SiC proporciona unha protección formidable contra a corrosión química e o choque térmico, mantendo a integridade do susceptor de grafito mesmo en ambientes de procesamento duros. Esta durabilidade mellorada reduce o tempo de inactividade e prolonga a vida útil, contribuíndo a aumentar a produtividade e a rendibilidade nas instalacións de fabricación de semicondutores.
3. Personalización para Necesidades EspecíficasOs nosos susceptores de grafito revestidos de SiC pódense adaptar para cumprir requisitos e preferencias específicos. Ofrecemos unha variedade de opcións de personalización, incluíndo axustes de tamaño e variacións no grosor do revestimento, para garantir a flexibilidade do deseño e un rendemento optimizado para diferentes aplicacións e parámetros de proceso.
Aplicacións:
AplicaciónsOs revestimentos Semicera SiC utilízanse en varias etapas da fabricación de semicondutores, incluíndo:
1. -Fabricación de chips LED
2. -Produción de polisilicio
3. -Crecemento de Cristais Semicondutores
4. -Epitaxia de silicio e SiC
5. -Oxidación e Difusión Térmica (TO&D)