SemiceraEpitaxia de carburo de silicioestá deseñado para satisfacer as rigorosas demandas das aplicacións modernas de semicondutores. Ao utilizar técnicas avanzadas de crecemento epitaxial, aseguramos que cada capa de carburo de silicio exhiba unha calidade cristalina excepcional, uniformidade e densidade de defecto mínima. Estas características son cruciais para desenvolver unha electrónica de potencia de alto rendemento, onde a eficiencia e a xestión térmica son primordiales.
OEpitaxia de carburo de silicioO proceso de Semicera está optimizado para producir capas epitaxiais cun espesor preciso e control de dopaxe, garantindo un rendemento consistente nunha variedade de dispositivos. Este nivel de precisión é esencial para aplicacións en vehículos eléctricos, sistemas de enerxía renovable e comunicacións de alta frecuencia, onde a fiabilidade e a eficiencia son fundamentais.
Ademais, o de SemiceraEpitaxia de carburo de silicioofrece unha condutividade térmica mellorada e unha maior tensión de avaría, polo que é a opción preferida para os dispositivos que funcionan en condicións extremas. Estas propiedades contribúen a unha vida útil máis longa do dispositivo e á mellora da eficiencia xeral do sistema, especialmente en ambientes de alta potencia e alta temperatura.
Semicera tamén ofrece opcións de personalización paraEpitaxia de carburo de silicio, o que permite solucións a medida que cumpran os requisitos específicos do dispositivo. Xa sexa para investigación ou produción a gran escala, as nosas capas epitaxiais están deseñadas para apoiar a próxima xeración de innovacións en semicondutores, permitindo o desenvolvemento de dispositivos electrónicos máis potentes, eficientes e fiables.
Ao integrar tecnoloxía de punta e rigorosos procesos de control de calidade, Semicera garante que o nosoEpitaxia de carburo de silicioprodutos non só cumpren, senón que superan os estándares da industria. Este compromiso coa excelencia fai das nosas capas epitaxiais a base ideal para aplicacións avanzadas de semicondutores, abrindo o camiño para avances en electrónica de potencia e optoelectrónica.
| Elementos | Produción | Investigación | Maniquí |
| Parámetros de cristal | |||
| Politipo | 4H | ||
| Erro de orientación da superficie | <11-20 >4±0,15° | ||
| Parámetros eléctricos | |||
| Dopante | Nitróxeno tipo n | ||
| Resistividade | 0,015-0,025 ohmios·cm | ||
| Parámetros mecánicos | |||
| Diámetro | 150,0 ± 0,2 mm | ||
| Espesor | 350 ± 25 μm | ||
| Orientación plana primaria | [1-100]±5° | ||
| Lonxitude plana primaria | 47,5 ± 1,5 mm | ||
| Piso secundario | Ningún | ||
| TTV | ≤5 μm | ≤10 μm | ≤15 μm |
| LTV | ≤3 μm (5mm*5mm) | ≤5 μm (5mm*5mm) | ≤10 μm (5mm*5mm) |
| Proa | -15 μm ~ 15 μm | -35 μm ~ 35 μm | -45 μm ~ 45 μm |
| Deformación | ≤35 μm | ≤45 μm | ≤55 μm |
| Rugosidade frontal (Si-face) (AFM) | Ra ≤ 0,2 nm (5 μm * 5 μm) | ||
| Estrutura | |||
| Densidade de microtubos | <1 ea/cm2 | <10 ea/cm2 | <15 ea/cm2 |
| Impurezas metálicas | ≤5E10 átomos/cm2 | NA | |
| BPD | ≤1500 ea/cm2 | ≤3000 ea/cm2 | NA |
| TSD | ≤500 ea/cm2 | ≤1000 ea/cm2 | NA |
| Calidade frontal | |||
| Fronte | Si | ||
| Acabado superficial | CMP Si-face | ||
| Partículas | ≤60ea/oblea (tamaño ≥0,3μm) | NA | |
| Raiaduras | ≤5 unidades/mm. Lonxitude acumulada ≤Diámetro | Lonxitude acumulada ≤ 2 * Diámetro | NA |
| Casca de laranxa/focos/manchas/estrías/fechas/contaminación | Ningún | NA | |
| Fichas de borde/sangrías/fracturas/placas hexagonales | Ningún | ||
| Áreas politípicas | Ningún | Área acumulada ≤ 20% | Área acumulada ≤ 30% |
| Marcado frontal con láser | Ningún | ||
| Calidade traseira | |||
| Acabado traseiro | C-face CMP | ||
| Raiaduras | ≤5ea/mm,Lonxitude acumulada≤2*Diámetro | NA | |
| Defectos posteriores (fichas de bordo/sangrías) | Ningún | ||
| Rugosidade nas costas | Ra ≤ 0,2 nm (5 μm * 5 μm) | ||
| Marcado láser traseiro | 1 mm (desde o borde superior) | ||
| Borde | |||
| Borde | Chaflán | ||
| Embalaxe | |||
| Embalaxe | Epi-ready con envasado ao baleiro Embalaxe de casetes multiwafer | ||
| *Notas: "NA" significa que non hai solicitude. Os elementos non mencionados poden referirse a SEMI-STD. | |||
