Soporte de procesamento PSS para transmisión de obleas de semicondutores

Breve descrición:

O carburo de silicio é un novo tipo de cerámica con alto custo e excelentes propiedades do material. Debido a características como a alta resistencia e dureza, resistencia a altas temperaturas, gran condutividade térmica e resistencia á corrosión química, o carburo de silicio pode soportar case todos os medios químicos. Polo tanto, o SiC úsase amplamente na minería de petróleo, na química, na maquinaria e no espazo aéreo, incluso a enerxía nuclear e os militares teñen as súas demandas especiais sobre o SIC. Algunhas aplicacións normais que podemos ofrecer son aneis de selado para bomba, válvula e armadura protectora, etc.

Somos capaces de proxectar e fabricar de acordo coas súas dimensións específicas con boa calidade e prazo de entrega razoable.


Detalle do produto

Etiquetas de produtos

Descrición do produto

A nosa empresa ofrece servizos de proceso de revestimento de SiC mediante o método CVD na superficie de grafito, cerámica e outros materiais, de xeito que os gases especiais que conteñen carbono e silicio reaccionen a alta temperatura para obter moléculas de SiC de alta pureza, moléculas depositadas na superficie dos materiais revestidos, formando capa protectora SIC.

Principais características:

1. Resistencia á oxidación a alta temperatura:

a resistencia á oxidación aínda é moi boa cando a temperatura é tan alta como 1600 C.

2. Alta pureza: feita por deposición química de vapor en condicións de cloración a alta temperatura.

3. Resistencia á erosión: alta dureza, superficie compacta, partículas finas.

4. Resistencia á corrosión: ácido, álcali, sal e reactivos orgánicos.

Especificacións principais do revestimento CVD-SIC

Propiedades SiC-CVD

Estrutura cristalina

Fase β de FCC

Densidade

g/cm³

3.21

Dureza

Dureza Vickers

2500

Tamaño de gran

μm

2~10

Pureza Química

%

99,99995

Capacidade calorífica

J·kg-1 ·K-1

640

Temperatura de sublimación

2700

Forza felexural

MPa (RT de 4 puntos)

415

Módulo de Young

Gpa (cobra de 4 puntos, 1300 ℃)

430

Expansión térmica (CTE)

10-6K-1

4.5

Condutividade térmica

(W/mK)

300

Lugar de traballo Semicera
Lugar de traballo semicera 2
Máquina de equipamento
Procesamento CNN, limpeza química, revestimento CVD
O noso servizo

  • Anterior:
  • Seguinte: