A película de silicio de Semicera é un material de alta calidade e deseño de precisión deseñado para satisfacer os estritos requisitos da industria de semicondutores. Fabricada a partir de silicio puro, esta solución de película fina ofrece unha excelente uniformidade, alta pureza e propiedades eléctricas e térmicas excepcionais. É ideal para o seu uso en varias aplicacións de semicondutores, incluíndo a produción de Si Wafer, SiC Substrate, SOI Wafer, SiN Substrate e Epi-Wafer. A película de silicio de Semicera garante un rendemento fiable e consistente, polo que é un material esencial para a microelectrónica avanzada.
Calidade e rendemento superiores para a fabricación de semicondutores
A película de silicio de Semicera é coñecida pola súa excelente resistencia mecánica, alta estabilidade térmica e baixas taxas de defectos, todas elas cruciais na fabricación de semicondutores de alto rendemento. Se se usa na produción de dispositivos de óxido de galio (Ga2O3), obleas de AlN ou epi-wafers, a película proporciona unha base sólida para a deposición de película fina e o crecemento epitaxial. A súa compatibilidade con outros substratos de semicondutores como o substrato de SiC e as obleas SOI garante unha integración perfecta nos procesos de fabricación existentes, axudando a manter altos rendementos e unha calidade consistente do produto.
Aplicacións na industria de semicondutores
Na industria de semicondutores, a película de silicio de Semicera utilízase nunha ampla gama de aplicacións, desde a produción de Si Wafer e SOI Wafer ata usos máis especializados como a creación de SiN Substrate e Epi-Wafer. A alta pureza e precisión desta película fan que sexa esencial na produción de compoñentes avanzados utilizados en todo tipo de microprocesadores e circuítos integrados ata dispositivos optoelectrónicos.
A película de silicio xoga un papel fundamental nos procesos de semicondutores como o crecemento epitaxial, a unión de obleas e a deposición de película fina. As súas propiedades fiables son especialmente valiosas para industrias que requiren ambientes altamente controlados, como salas limpas en fábricas de semicondutores. Ademais, a película de silicio pódese integrar en sistemas de casete para un manexo e transporte eficientes das obleas durante a produción.
Fiabilidade e coherencia a longo prazo
Un dos principais beneficios do uso da película de silicona de Semicera é a súa fiabilidade a longo prazo. Coa súa excelente durabilidade e calidade consistente, esta película ofrece unha solución fiable para ambientes de produción de gran volume. Tanto se se usa en dispositivos semicondutores de alta precisión como en aplicacións electrónicas avanzadas, a película de silicio de Semicera garante que os fabricantes poidan acadar un alto rendemento e fiabilidade nunha ampla gama de produtos.
Por que escoller a película de silicio de Semicera?
A película de silicio de Semicera é un material esencial para aplicacións de vangarda na industria de semicondutores. As súas propiedades de alto rendemento, incluíndo unha excelente estabilidade térmica, alta pureza e resistencia mecánica, fan que sexa a opción ideal para os fabricantes que buscan acadar os máis altos estándares na produción de semicondutores. Desde Si Wafer e SiC Substrate ata a produción de dispositivos de óxido de galio Ga2O3, esta película ofrece unha calidade e un rendemento inigualables.
Coa película de silicio de Semicera, pode confiar nun produto que satisfaga as necesidades da moderna fabricación de semicondutores, proporcionando unha base fiable para a próxima xeración de produtos electrónicos.
Elementos | Produción | Investigación | Maniquí |
Parámetros de cristal | |||
Politipo | 4H | ||
Erro de orientación da superficie | <11-20 >4±0,15° | ||
Parámetros eléctricos | |||
Dopante | Nitróxeno tipo n | ||
Resistividade | 0,015-0,025 ohmios·cm | ||
Parámetros mecánicos | |||
Diámetro | 150,0 ± 0,2 mm | ||
Espesor | 350 ± 25 μm | ||
Orientación plana primaria | [1-100]±5° | ||
Lonxitude plana primaria | 47,5 ± 1,5 mm | ||
Piso secundario | Ningún | ||
TTV | ≤5 μm | ≤10 μm | ≤15 μm |
LTV | ≤3 μm (5mm*5mm) | ≤5 μm (5mm*5mm) | ≤10 μm (5mm*5mm) |
Proa | -15 μm ~ 15 μm | -35 μm ~ 35 μm | -45 μm ~ 45 μm |
Deformación | ≤35 μm | ≤45 μm | ≤55 μm |
Rugosidade frontal (Si-face) (AFM) | Ra ≤ 0,2 nm (5 μm * 5 μm) | ||
Estrutura | |||
Densidade de microtubos | <1 ea/cm2 | <10 unidades/cm2 | <15 ea/cm2 |
Impurezas metálicas | ≤5E10 átomos/cm2 | NA | |
BPD | ≤1500 ea/cm2 | ≤3000 ea/cm2 | NA |
TSD | ≤500 ea/cm2 | ≤1000 ea/cm2 | NA |
Calidade frontal | |||
Fronte | Si | ||
Acabado superficial | CMP Si-face | ||
Partículas | ≤60ea/oblea (tamaño ≥0,3μm) | NA | |
Raiaduras | ≤5 unidades/mm. Lonxitude acumulada ≤Diámetro | Lonxitude acumulada ≤ 2 * Diámetro | NA |
Casca de laranxa/focos/manchas/estrías/fechas/contaminación | Ningún | NA | |
Fichas de borde/sanges/fracturas/placas hexagonales | Ningún | ||
Áreas politípicas | Ningún | Área acumulada ≤ 20% | Área acumulada ≤ 30% |
Marcado frontal con láser | Ningún | ||
Calidade traseira | |||
Acabado traseiro | C-face CMP | ||
Raiaduras | ≤5ea/mm,Lonxitude acumulada≤2*Diámetro | NA | |
Defectos posteriores (fichas de bordo/sangrías) | Ningún | ||
Rugosidade nas costas | Ra ≤ 0,2 nm (5 μm * 5 μm) | ||
Marcado láser traseiro | 1 mm (desde o borde superior) | ||
Borde | |||
Borde | Chaflán | ||
Embalaxe | |||
Embalaxe | Epi-ready con envasado ao baleiro Embalaxe de casetes multiwafer | ||
*Notas: "NA" significa que non hai solicitude. Os elementos non mencionados poden referirse a SEMI-STD. |