Película de silicona

Breve descrición:

A película de silicio de Semicera é un material de alto rendemento deseñado para unha variedade de aplicacións avanzadas nas industrias de semicondutores e electrónica. Feita a partir de silicio de alta calidade, esta película ofrece unha uniformidade excepcional, estabilidade térmica e propiedades eléctricas, polo que é unha solución ideal para a deposición de película fina, MEMS (Sistemas Micro-Electro-Mecánicos) e a fabricación de dispositivos semicondutores.


Detalle do produto

Etiquetas de produtos

A película de silicio de Semicera é un material de alta calidade e deseño de precisión deseñado para satisfacer os estritos requisitos da industria de semicondutores. Fabricada a partir de silicio puro, esta solución de película fina ofrece unha excelente uniformidade, alta pureza e propiedades eléctricas e térmicas excepcionais. É ideal para o seu uso en varias aplicacións de semicondutores, incluíndo a produción de Si Wafer, SiC Substrate, SOI Wafer, SiN Substrate e Epi-Wafer. A película de silicio de Semicera garante un rendemento fiable e consistente, polo que é un material esencial para a microelectrónica avanzada.

Calidade e rendemento superiores para a fabricación de semicondutores

A película de silicio de Semicera é coñecida pola súa excelente resistencia mecánica, alta estabilidade térmica e baixas taxas de defectos, todas elas cruciais na fabricación de semicondutores de alto rendemento. Se se usa na produción de dispositivos de óxido de galio (Ga2O3), obleas de AlN ou epi-wafers, a película proporciona unha base sólida para a deposición de película fina e o crecemento epitaxial. A súa compatibilidade con outros substratos de semicondutores como o substrato de SiC e as obleas SOI garante unha integración perfecta nos procesos de fabricación existentes, axudando a manter altos rendementos e unha calidade consistente do produto.

Aplicacións na industria de semicondutores

Na industria de semicondutores, a película de silicio de Semicera utilízase nunha ampla gama de aplicacións, desde a produción de Si Wafer e SOI Wafer ata usos máis especializados como a creación de SiN Substrate e Epi-Wafer. A alta pureza e precisión desta película fan que sexa esencial na produción de compoñentes avanzados utilizados en todo tipo de microprocesadores e circuítos integrados ata dispositivos optoelectrónicos.

A película de silicio xoga un papel fundamental nos procesos de semicondutores como o crecemento epitaxial, a unión de obleas e a deposición de película fina. As súas propiedades fiables son especialmente valiosas para industrias que requiren ambientes altamente controlados, como salas limpas en fábricas de semicondutores. Ademais, a película de silicio pódese integrar en sistemas de casete para un manexo e transporte eficientes das obleas durante a produción.

Fiabilidade e coherencia a longo prazo

Un dos principais beneficios do uso da película de silicona de Semicera é a súa fiabilidade a longo prazo. Coa súa excelente durabilidade e calidade consistente, esta película ofrece unha solución fiable para ambientes de produción de gran volume. Tanto se se usa en dispositivos semicondutores de alta precisión como en aplicacións electrónicas avanzadas, a película de silicio de Semicera garante que os fabricantes poidan acadar un alto rendemento e fiabilidade nunha ampla gama de produtos.

Por que escoller a película de silicio de Semicera?

A película de silicio de Semicera é un material esencial para aplicacións de vangarda na industria de semicondutores. As súas propiedades de alto rendemento, incluíndo unha excelente estabilidade térmica, alta pureza e resistencia mecánica, fan que sexa a opción ideal para os fabricantes que buscan acadar os máis altos estándares na produción de semicondutores. Desde Si Wafer e SiC Substrate ata a produción de dispositivos de óxido de galio Ga2O3, esta película ofrece unha calidade e un rendemento inigualables.

Coa película de silicio de Semicera, pode confiar nun produto que satisfaga as necesidades da moderna fabricación de semicondutores, proporcionando unha base fiable para a próxima xeración de produtos electrónicos.

Elementos

Produción

Investigación

Maniquí

Parámetros de cristal

Politipo

4H

Erro de orientación da superficie

<11-20 >4±0,15°

Parámetros eléctricos

Dopante

Nitróxeno tipo n

Resistividade

0,015-0,025 ohmios·cm

Parámetros mecánicos

Diámetro

150,0 ± 0,2 mm

Espesor

350 ± 25 μm

Orientación plana primaria

[1-100]±5°

Lonxitude plana primaria

47,5 ± 1,5 mm

Piso secundario

Ningún

TTV

≤5 μm

≤10 μm

≤15 μm

LTV

≤3 μm (5mm*5mm)

≤5 μm (5mm*5mm)

≤10 μm (5mm*5mm)

Proa

-15 μm ~ 15 μm

-35 μm ~ 35 μm

-45 μm ~ 45 μm

Deformación

≤35 μm

≤45 μm

≤55 μm

Rugosidade frontal (Si-face) (AFM)

Ra ≤ 0,2 nm (5 μm * 5 μm)

Estrutura

Densidade de microtubos

<1 ea/cm2

<10 unidades/cm2

<15 ea/cm2

Impurezas metálicas

≤5E10 átomos/cm2

NA

BPD

≤1500 ea/cm2

≤3000 ea/cm2

NA

TSD

≤500 ea/cm2

≤1000 ea/cm2

NA

Calidade frontal

Fronte

Si

Acabado superficial

CMP Si-face

Partículas

≤60ea/oblea (tamaño ≥0,3μm)

NA

Raiaduras

≤5 unidades/mm. Lonxitude acumulada ≤Diámetro

Lonxitude acumulada ≤ 2 * Diámetro

NA

Casca de laranxa/focos/manchas/estrías/fechas/contaminación

Ningún

NA

Fichas de borde/sanges/fracturas/placas hexagonales

Ningún

Áreas politípicas

Ningún

Área acumulada ≤ 20%

Área acumulada ≤ 30%

Marcado frontal con láser

Ningún

Calidade traseira

Acabado traseiro

C-face CMP

Raiaduras

≤5ea/mm,Lonxitude acumulada≤2*Diámetro

NA

Defectos posteriores (fichas de bordo/sangrías)

Ningún

Rugosidade nas costas

Ra ≤ 0,2 nm (5 μm * 5 μm)

Marcado láser traseiro

1 mm (desde o borde superior)

Borde

Borde

Chaflán

Embalaxe

Embalaxe

Epi-ready con envasado ao baleiro

Embalaxe de casetes multiwafer

*Notas: "NA" significa que non hai solicitude. Os elementos non mencionados poden referirse a SEMI-STD.

tech_1_2_tamaño
Obleas de SiC

  • Anterior:
  • Seguinte: