Visión xeral do produto
OCarburo de silicio impregnado de silicio (SiC) Paddle and Wafer Carrierestá deseñado para satisfacer os esixentes requisitos das aplicacións de procesamento térmico de semicondutores. Elaborado a partir de SiC de alta pureza e mellorado mediante impregnación de silicio, este produto ofrece unha combinación única de rendemento a altas temperaturas, excelente condutividade térmica, resistencia á corrosión e unha excelente resistencia mecánica.
Ao integrar a ciencia de materiais avanzada coa fabricación de precisión, esta solución garante un rendemento, fiabilidade e durabilidade superiores aos fabricantes de semicondutores.
Características clave
1.Excepcional resistencia a altas temperaturas
Cun punto de fusión superior a 2700 °C, os materiais de SiC son inherentemente estables baixo unha calor extrema. A impregnación de silicio mellora aínda máis a súa estabilidade térmica, o que lles permite soportar unha exposición prolongada a altas temperaturas sen debilitamento estrutural nin degradación do rendemento.
2.Condutividade térmica superior
A excepcional condutividade térmica do SiC impregnado con silicio garante unha distribución uniforme da calor, reducindo o estrés térmico durante as etapas críticas de procesamento. Esta propiedade prolonga a vida útil dos equipos e minimiza o tempo de inactividade da produción, polo que é ideal para o procesamento térmico a alta temperatura.
3.Resistencia á oxidación e á corrosión
Unha robusta capa de óxido de silicio fórmase naturalmente na superficie, proporcionando unha excelente resistencia á oxidación e á corrosión. Isto garante a fiabilidade a longo prazo en ambientes operativos duros, protexendo tanto o material como os compoñentes circundantes.
4.Alta resistencia mecánica e resistencia ao desgaste
O SiC impregnado con silicio presenta unha excelente resistencia á compresión e ao desgaste, mantendo a súa integridade estrutural en condicións de alta carga e alta temperatura. Isto reduce o risco de danos relacionados co desgaste, garantindo un rendemento constante durante ciclos de uso prolongados.
Especificacións
| Nome do produto | SC-RSiC-Si |
| Material | Impregnación de silicio Carburo de silicio Compact (alta pureza) |
| Aplicacións | Pezas de tratamento térmico de semicondutores, Pezas de equipos de fabricación de semicondutores |
| Formulario de entrega | Corpo moldeado (corpo sinterizado) |
| Composición | Propiedade Mecánica | Módulo de Young (GPa) | Resistencia á flexión (MPa) | ||
| Composición (%) | α-SiC | α-SiC | RT | 370 | 250 |
| 82 | 18 | 800°C | 360 | 220 | |
| Densidade aparente (kg/m³) | 3,02 x 103 | 1200 °C | 340 | 220 | |
| Temperatura resistente á calor °C | 1350 | Relación de Poisson | 0,18 (RT) | ||
| Propiedade térmica | Condutividade térmica (W/(m·K)) | Capacidade calorífica específica (kJ/(kg·K)) | Coeficiente de dilatación térmica (1/K) | ||
| RT | 220 | 0,7 | RT ~ 700 °C | 3,4 x 10-6 | |
| 700°C | 60 | 1.23 | 700~1200°C | 4,3 x 10-6 | |
| Contido de impurezas ((ppm) | |||||||||||||
| Elemento | Fe | Ni | Na | K | Mg | Ca | Cr | Mn | Zn | Cu | Ti | Va | Ai |
| Taxa de contido | 3 | <2 | <0,5 | <0,1 | <1 | 5 | 0,3 | <0,1 | <0,1 | <0,1 | <0,3 | <0,3 | 25 |
Aplicacións
▪Procesamento térmico de semicondutores:Ideal para procesos como a deposición química de vapor (CVD), o crecemento epitaxial e o recocido, onde o control preciso da temperatura e a durabilidade do material son críticos.
▪Portavasos e paletas:Deseñado para suxeitar e transportar de forma segura as obleas durante os tratamentos térmicos a altas temperaturas.
▪Entornos operativos extremos: Adecuado para axustes que requiren resistencia á calor, á exposición química e á tensión mecánica.
Vantaxes do SiC impregnado con silicio
A combinación de carburo de silicio de alta pureza e tecnoloxía avanzada de impregnación de silicio ofrece beneficios de rendemento incomparables:
▪Precisión:Mellora a precisión e o control do procesamento de semicondutores.
▪Estabilidade:Soporta ambientes duros sen comprometer a funcionalidade.
▪Lonxevidade:Estende a vida útil dos equipos de fabricación de semicondutores.
▪Eficiencia:Mellora a produtividade ao garantir resultados fiables e consistentes.
Por que escoller as nosas solucións de SiC impregnadas de silicio?
At Semicera, estamos especializados en ofrecer solucións de alto rendemento adaptadas ás necesidades dos fabricantes de semicondutores. As nosas paletas e obleas de carburo de silicio impregnadas de silicio pasan por rigorosas probas e garantía de calidade para cumprir os estándares da industria. Ao escoller Semicera, accede a materiais de vangarda deseñados para optimizar os seus procesos de fabricación e mellorar as súas capacidades de produción.
Especificacións técnicas
▪Composición do material:Carburo de silicio de alta pureza con impregnación de silicio.
▪Rango de temperatura de funcionamento:Ata 2700 °C.
▪ Condutividade térmica:Excepcionalmente alto para unha distribución uniforme da calor.
▪Propiedades de resistencia:Resistente á oxidación, á corrosión e ao desgaste.
▪Aplicacións:Compatible con varios sistemas de procesamento térmico de semicondutores.
Contacta connosco
¿Estás preparado para elevar o teu proceso de fabricación de semicondutores? ContactoSemicerahoxe para obter máis información sobre a nosa paleta de carburo de silicio impregnada de silicio e o noso soporte de obleas.
▪Correo electrónico: sales01@semi-cera.com/sales05@semi-cera.com
▪Teléfono: +86-0574-8650 3783
▪Localización:No.1958 Jiangnan Road, Ningbo High tech, Zone, Zhejiang Province, 315201, China
