Substrato cerámico de nitruro de silicio

Breve descrición:

O substrato cerámico de nitruro de silicio de Semicera ofrece unha condutividade térmica excepcional e unha alta resistencia mecánica para aplicacións electrónicas esixentes. Deseñado para fiabilidade e eficiencia, estes substratos son ideais para dispositivos de alta potencia e alta frecuencia. Confíe en Semicera para obter un rendemento superior na tecnoloxía de substratos cerámicos.


Detalle do produto

Etiquetas de produtos

O substrato cerámico de nitruro de silicio de Semicera representa o pináculo da tecnoloxía de materiais avanzada, proporcionando unha condutividade térmica excepcional e propiedades mecánicas robustas. Deseñado para aplicacións de alto rendemento, este substrato destaca en ambientes que requiren unha xestión térmica fiable e integridade estrutural.

Os nosos substratos cerámicos de nitruro de silicio están deseñados para soportar temperaturas extremas e condicións duras, polo que son ideais para dispositivos electrónicos de alta potencia e alta frecuencia. A súa condutividade térmica superior garante unha eficiente disipación da calor, que é fundamental para manter o rendemento e a lonxevidade dos compoñentes electrónicos.

O compromiso de Semicera coa calidade é evidente en cada substrato cerámico de nitruro de silicio que producimos. Cada substrato está fabricado utilizando procesos de última xeración para garantir un rendemento consistente e defectos mínimos. Este alto nivel de precisión admite as rigorosas demandas de industrias como a automoción, a aeroespacial e as telecomunicacións.

Ademais dos seus beneficios térmicos e mecánicos, os nosos substratos ofrecen excelentes propiedades de illamento eléctrico, que contribúen á fiabilidade global dos seus dispositivos electrónicos. Ao reducir as interferencias eléctricas e mellorar a estabilidade dos compoñentes, os substratos cerámicos de nitruro de silicio de Semicera xogan un papel crucial na optimización do rendemento do dispositivo.

Elixir o substrato cerámico de nitruro de silicio de Semicera significa investir nun produto que ofreza alto rendemento e durabilidade. Os nosos substratos están deseñados para satisfacer as necesidades de aplicacións electrónicas avanzadas, o que garante que os seus dispositivos se beneficien da tecnoloxía de materiais de punta e dunha fiabilidade excepcional.

Elementos

Produción

Investigación

Maniquí

Parámetros de cristal

Politipo

4H

Erro de orientación da superficie

<11-20 >4±0,15°

Parámetros eléctricos

Dopante

Nitróxeno tipo n

Resistividade

0,015-0,025 ohmios·cm

Parámetros mecánicos

Diámetro

150,0 ± 0,2 mm

Espesor

350 ± 25 μm

Orientación plana primaria

[1-100]±5°

Lonxitude plana primaria

47,5 ± 1,5 mm

Piso secundario

Ningún

TTV

≤5 μm

≤10 μm

≤15 μm

LTV

≤3 μm (5mm*5mm)

≤5 μm (5mm*5mm)

≤10 μm (5mm*5mm)

Proa

-15 μm ~ 15 μm

-35 μm ~ 35 μm

-45 μm ~ 45 μm

Deformación

≤35 μm

≤45 μm

≤55 μm

Rugosidade frontal (Si-face) (AFM)

Ra ≤ 0,2 nm (5 μm * 5 μm)

Estrutura

Densidade de microtubos

<1 ea/cm2

<10 ea/cm2

<15 ea/cm2

Impurezas metálicas

≤5E10 átomos/cm2

NA

BPD

≤1500 ea/cm2

≤3000 ea/cm2

NA

TSD

≤500 ea/cm2

≤1000 ea/cm2

NA

Calidade frontal

Fronte

Si

Acabado superficial

CMP Si-face

Partículas

≤60ea/oblea (tamaño ≥0,3μm)

NA

Raiaduras

≤5 unidades/mm. Lonxitude acumulada ≤Diámetro

Lonxitude acumulada ≤ 2 * Diámetro

NA

Casca de laranxa/focos/manchas/estrías/fechas/contaminación

Ningún

NA

Fichas de borde/sangrías/fracturas/placas hexagonales

Ningún

Áreas politípicas

Ningún

Área acumulada ≤ 20%

Área acumulada ≤ 30%

Marcado frontal con láser

Ningún

Calidade traseira

Acabado traseiro

C-face CMP

Raiaduras

≤5ea/mm,Lonxitude acumulada≤2*Diámetro

NA

Defectos posteriores (fichas de bordo/sangrías)

Ningún

Rugosidade nas costas

Ra ≤ 0,2 nm (5 μm * 5 μm)

Marcado láser traseiro

1 mm (desde o borde superior)

Borde

Borde

Chaflán

Embalaxe

Embalaxe

Epi-ready con envasado ao baleiro

Embalaxe de casetes multiwafer

*Notas: "NA" significa que non hai solicitude. Os elementos non mencionados poden referirse a SEMI-STD.

tech_1_2_tamaño
Obleas de SiC

  • Anterior:
  • Seguinte: