Silicio sobre obleas illantesde Semicera están deseñados para satisfacer a crecente demanda de solucións de semicondutores de alto rendemento. As nosas obleas SOI ofrecen un rendemento eléctrico superior e unha reducida capacidade de dispositivos parasitarios, o que as fai ideales para aplicacións avanzadas como dispositivos MEMS, sensores e circuítos integrados. A experiencia de Semicera na produción de obleas garante que cada unOblea SOIofrece resultados fiables e de alta calidade para as súas necesidades de tecnoloxía de próxima xeración.
O nosoSilicio sobre obleas illantesofrecer un equilibrio óptimo entre rendibilidade e rendemento. Co custo das obleas de soi cada vez máis competitivo, estas obleas úsanse amplamente nunha variedade de industrias, incluíndo a microelectrónica e a optoelectrónica. O proceso de produción de alta precisión de Semicera garante unha unión e uniformidade das obleas superiores, facéndoas adecuadas para unha variedade de aplicacións, desde obleas SOI de cavidade ata obleas de silicio estándar.
Características principais:
•Obleas SOI de alta calidade optimizadas para o rendemento en MEMS e outras aplicacións.
•Custo competitivo da oblea de soi para as empresas que buscan solucións avanzadas sen comprometer a calidade.
•Ideal para tecnoloxías de punta, ofrecendo un illamento eléctrico e unha eficiencia melloradas en silicio nos sistemas illantes.
O nosoSilicio sobre obleas illantesestán deseñados para ofrecer solucións de alto rendemento, apoiando a próxima ola de innovación na tecnoloxía de semicondutores. Se estás traballando na cavidadeObleas SOI, dispositivos MEMS ou silicio en compoñentes illantes, Semicera ofrece obleas que cumpren os estándares máis altos da industria.
| Elementos | Produción | Investigación | Maniquí |
| Parámetros de cristal | |||
| Politipo | 4H | ||
| Erro de orientación da superficie | <11-20 >4±0,15° | ||
| Parámetros eléctricos | |||
| Dopante | Nitróxeno tipo n | ||
| Resistividade | 0,015-0,025 ohmios·cm | ||
| Parámetros mecánicos | |||
| Diámetro | 150,0 ± 0,2 mm | ||
| Espesor | 350 ± 25 μm | ||
| Orientación plana primaria | [1-100]±5° | ||
| Lonxitude plana primaria | 47,5 ± 1,5 mm | ||
| Piso secundario | Ningún | ||
| TTV | ≤5 μm | ≤10 μm | ≤15 μm |
| LTV | ≤3 μm (5mm*5mm) | ≤5 μm (5mm*5mm) | ≤10 μm (5mm*5mm) |
| Proa | -15 μm ~ 15 μm | -35 μm ~ 35 μm | -45 μm ~ 45 μm |
| Deformación | ≤35 μm | ≤45 μm | ≤55 μm |
| Rugosidade frontal (Si-face) (AFM) | Ra ≤ 0,2 nm (5 μm * 5 μm) | ||
| Estrutura | |||
| Densidade de microtubos | <1 ea/cm2 | <10 unidades/cm2 | <15 ea/cm2 |
| Impurezas metálicas | ≤5E10 átomos/cm2 | NA | |
| BPD | ≤1500 ea/cm2 | ≤3000 ea/cm2 | NA |
| TSD | ≤500 ea/cm2 | ≤1000 ea/cm2 | NA |
| Calidade frontal | |||
| Fronte | Si | ||
| Acabado superficial | CMP Si-face | ||
| Partículas | ≤60ea/oblea (tamaño ≥0,3μm) | NA | |
| Raiaduras | ≤5 unidades/mm. Lonxitude acumulada ≤Diámetro | Lonxitude acumulada ≤ 2 * Diámetro | NA |
| Casca de laranxa/focos/manchas/estrías/fechas/contaminación | Ningún | NA | |
| Fichas de borde/sanges/fracturas/placas hexagonales | Ningún | ||
| Áreas politípicas | Ningún | Área acumulada ≤ 20% | Área acumulada ≤ 30% |
| Marcado frontal con láser | Ningún | ||
| Calidade traseira | |||
| Acabado traseiro | C-face CMP | ||
| Raiaduras | ≤5ea/mm,Lonxitude acumulada≤2*Diámetro | NA | |
| Defectos posteriores (fichas de bordo/sangrías) | Ningún | ||
| Rugosidade nas costas | Ra ≤ 0,2 nm (5 μm * 5 μm) | ||
| Marcado láser traseiro | 1 mm (desde o borde superior) | ||
| Borde | |||
| Borde | Chaflán | ||
| Embalaxe | |||
| Embalaxe | Epi-ready con envasado ao baleiro Embalaxe de casetes multiwafer | ||
| *Notas: "NA" significa que non hai solicitude. Os elementos non mencionados poden referirse a SEMI-STD. | |||
