Substrato de silicio

Breve descrición:

Os substratos de silicio Semicera están deseñados con precisión para aplicacións de alto rendemento na fabricación de produtos electrónicos e semicondutores. Cunha pureza e uniformidade excepcional, estes substratos están deseñados para soportar procesos tecnolóxicos avanzados. Semicera garante unha calidade e fiabilidade constantes para os seus proxectos máis esixentes.


Detalle do produto

Etiquetas de produtos

Os substratos de silicio Semicera están elaborados para satisfacer as rigorosas demandas da industria de semicondutores, ofrecendo unha calidade e precisión incomparables. Estes substratos proporcionan unha base fiable para varias aplicacións, desde circuítos integrados ata células fotovoltaicas, garantindo un rendemento e unha lonxevidade óptimos.

A alta pureza dos substratos de silicio Semicera garante defectos mínimos e características eléctricas superiores, que son fundamentais para a produción de compoñentes electrónicos de alta eficiencia. Este nivel de pureza axuda a reducir a perda de enerxía e a mellorar a eficiencia global dos dispositivos semicondutores.

Semicera emprega técnicas de fabricación de última xeración para producir substratos de silicio cunha uniformidade e planitude excepcional. Esta precisión é esencial para lograr resultados consistentes na fabricación de semicondutores, onde ata a máis mínima variación pode afectar o rendemento e o rendemento do dispositivo.

Dispoñibles nunha variedade de tamaños e especificacións, os substratos de silicio Semicera satisfacen unha ampla gama de necesidades industriais. Tanto se está a desenvolver microprocesadores de vangarda como paneis solares, estes substratos proporcionan a flexibilidade e fiabilidade necesarias para a súa aplicación específica.

Semicera dedícase a apoiar a innovación e a eficiencia na industria de semicondutores. Ao proporcionar substratos de silicio de alta calidade, permitimos aos fabricantes superar os límites da tecnoloxía, entregando produtos que satisfagan as demandas en evolución do mercado. Confía en Semicera para as túas solucións electrónicas e fotovoltaicas de última xeración.

Elementos

Produción

Investigación

Maniquí

Parámetros de cristal

Politipo

4H

Erro de orientación da superficie

<11-20 >4±0,15°

Parámetros eléctricos

Dopante

Nitróxeno tipo n

Resistividade

0,015-0,025 ohmios·cm

Parámetros mecánicos

Diámetro

150,0 ± 0,2 mm

Espesor

350 ± 25 μm

Orientación plana primaria

[1-100]±5°

Lonxitude plana primaria

47,5 ± 1,5 mm

Piso secundario

Ningún

TTV

≤5 μm

≤10 μm

≤15 μm

LTV

≤3 μm (5mm*5mm)

≤5 μm (5mm*5mm)

≤10 μm (5mm*5mm)

Proa

-15 μm ~ 15 μm

-35 μm ~ 35 μm

-45 μm ~ 45 μm

Deformación

≤35 μm

≤45 μm

≤55 μm

Rugosidade frontal (Si-face) (AFM)

Ra ≤ 0,2 nm (5 μm * 5 μm)

Estrutura

Densidade de microtubos

<1 ea/cm2

<10 unidades/cm2

<15 ea/cm2

Impurezas metálicas

≤5E10 átomos/cm2

NA

BPD

≤1500 ea/cm2

≤3000 ea/cm2

NA

TSD

≤500 ea/cm2

≤1000 ea/cm2

NA

Calidade frontal

Fronte

Si

Acabado superficial

CMP Si-face

Partículas

≤60ea/oblea (tamaño ≥0,3μm)

NA

Raiaduras

≤5 unidades/mm. Lonxitude acumulada ≤Diámetro

Lonxitude acumulada ≤ 2 * Diámetro

NA

Casca de laranxa/focos/manchas/estrías/fechas/contaminación

Ningún

NA

Fichas de borde/sanges/fracturas/placas hexagonales

Ningún

Áreas politípicas

Ningún

Área acumulada ≤ 20%

Área acumulada ≤ 30%

Marcado frontal con láser

Ningún

Calidade traseira

Acabado traseiro

C-face CMP

Raiaduras

≤5ea/mm,Lonxitude acumulada≤2*Diámetro

NA

Defectos posteriores (fichas de bordo/sangrías)

Ningún

Rugosidade nas costas

Ra ≤ 0,2 nm (5 μm * 5 μm)

Marcado láser traseiro

1 mm (desde o borde superior)

Borde

Borde

Chaflán

Embalaxe

Embalaxe

Epi-ready con envasado ao baleiro

Embalaxe de casetes multiwafer

*Notas: "NA" significa que non hai solicitude. Os elementos non mencionados poden referirse a SEMI-STD.

tech_1_2_tamaño
Obleas de SiC

  • Anterior:
  • Seguinte: