Os substratos de silicio Semicera están elaborados para satisfacer as rigorosas demandas da industria de semicondutores, ofrecendo unha calidade e precisión incomparables. Estes substratos proporcionan unha base fiable para varias aplicacións, desde circuítos integrados ata células fotovoltaicas, garantindo un rendemento e unha lonxevidade óptimos.
A alta pureza dos substratos de silicio Semicera garante defectos mínimos e características eléctricas superiores, que son fundamentais para a produción de compoñentes electrónicos de alta eficiencia. Este nivel de pureza axuda a reducir a perda de enerxía e a mellorar a eficiencia global dos dispositivos semicondutores.
Semicera emprega técnicas de fabricación de última xeración para producir substratos de silicio cunha uniformidade e planitude excepcional. Esta precisión é esencial para lograr resultados consistentes na fabricación de semicondutores, onde ata a máis mínima variación pode afectar o rendemento e o rendemento do dispositivo.
Dispoñibles nunha variedade de tamaños e especificacións, os substratos de silicio Semicera satisfacen unha ampla gama de necesidades industriais. Tanto se está a desenvolver microprocesadores de vangarda como paneis solares, estes substratos proporcionan a flexibilidade e fiabilidade necesarias para a súa aplicación específica.
Semicera dedícase a apoiar a innovación e a eficiencia na industria de semicondutores. Ao proporcionar substratos de silicio de alta calidade, permitimos aos fabricantes superar os límites da tecnoloxía, entregando produtos que satisfagan as demandas en evolución do mercado. Confía en Semicera para as túas solucións electrónicas e fotovoltaicas de última xeración.
| Elementos | Produción | Investigación | Maniquí |
| Parámetros de cristal | |||
| Politipo | 4H | ||
| Erro de orientación da superficie | <11-20 >4±0,15° | ||
| Parámetros eléctricos | |||
| Dopante | Nitróxeno tipo n | ||
| Resistividade | 0,015-0,025 ohmios·cm | ||
| Parámetros mecánicos | |||
| Diámetro | 150,0 ± 0,2 mm | ||
| Espesor | 350 ± 25 μm | ||
| Orientación plana primaria | [1-100]±5° | ||
| Lonxitude plana primaria | 47,5 ± 1,5 mm | ||
| Piso secundario | Ningún | ||
| TTV | ≤5 μm | ≤10 μm | ≤15 μm |
| LTV | ≤3 μm (5mm*5mm) | ≤5 μm (5mm*5mm) | ≤10 μm (5mm*5mm) |
| Proa | -15 μm ~ 15 μm | -35 μm ~ 35 μm | -45 μm ~ 45 μm |
| Deformación | ≤35 μm | ≤45 μm | ≤55 μm |
| Rugosidade frontal (Si-face) (AFM) | Ra ≤ 0,2 nm (5 μm * 5 μm) | ||
| Estrutura | |||
| Densidade de microtubos | <1 ea/cm2 | <10 ea/cm2 | <15 ea/cm2 |
| Impurezas metálicas | ≤5E10 átomos/cm2 | NA | |
| BPD | ≤1500 ea/cm2 | ≤3000 ea/cm2 | NA |
| TSD | ≤500 ea/cm2 | ≤1000 ea/cm2 | NA |
| Calidade frontal | |||
| Fronte | Si | ||
| Acabado superficial | CMP Si-face | ||
| Partículas | ≤60ea/oblea (tamaño ≥0,3μm) | NA | |
| Raiaduras | ≤5 unidades/mm. Lonxitude acumulada ≤Diámetro | Lonxitude acumulada ≤ 2 * Diámetro | NA |
| Casca de laranxa/focos/manchas/estrías/fechas/contaminación | Ningún | NA | |
| Fichas de borde/sangrías/fracturas/placas hexagonales | Ningún | ||
| Áreas politípicas | Ningún | Área acumulada ≤ 20% | Área acumulada ≤ 30% |
| Marcado frontal con láser | Ningún | ||
| Calidade traseira | |||
| Acabado traseiro | C-face CMP | ||
| Raiaduras | ≤5ea/mm,Lonxitude acumulada≤2*Diámetro | NA | |
| Defectos posteriores (fichas de bordo/sangrías) | Ningún | ||
| Rugosidade nas costas | Ra ≤ 0,2 nm (5 μm * 5 μm) | ||
| Marcado láser traseiro | 1 mm (desde o borde superior) | ||
| Borde | |||
| Borde | Chaflán | ||
| Embalaxe | |||
| Embalaxe | Epi-ready con envasado ao baleiro Embalaxe de casetes multiwafer | ||
| *Notas: "NA" significa que non hai solicitude. Os elementos non mencionados poden referirse a SEMI-STD. | |||
