As obleas de silicio Semicera están meticulosamente elaboradas para servir como base para unha ampla gama de dispositivos semicondutores, desde microprocesadores ata células fotovoltaicas. Estas obleas están deseñadas con alta precisión e pureza, o que garante un rendemento óptimo en varias aplicacións electrónicas.
Fabricadas mediante técnicas avanzadas, as obleas de silicio Semicera presentan unha planitude e uniformidade excepcionais, que son cruciais para acadar altos rendementos na fabricación de semicondutores. Este nivel de precisión axuda a minimizar os defectos e mellorar a eficiencia global dos compoñentes electrónicos.
A calidade superior das obleas de silicio Semicera é evidente nas súas características eléctricas, que contribúen a mellorar o rendemento dos dispositivos semicondutores. Con baixos niveis de impurezas e alta calidade de cristal, estas obleas proporcionan a plataforma ideal para desenvolver produtos electrónicos de alto rendemento.
Dispoñibles en varios tamaños e especificacións, as obleas de silicio de Semicera pódense adaptar para satisfacer as necesidades específicas de diferentes industrias, incluíndo a informática, as telecomunicacións e as enerxías renovables. Xa sexa para fabricación a gran escala ou investigación especializada, estas obleas ofrecen resultados fiables.
Semicera comprométese a apoiar o crecemento e a innovación da industria de semicondutores proporcionando obleas de silicio de alta calidade que cumpren os máis altos estándares da industria. Con foco na precisión e fiabilidade, Semicera permite aos fabricantes superar os límites da tecnoloxía, garantindo que os seus produtos se manteñan á vangarda do mercado.
Elementos | Produción | Investigación | Maniquí |
Parámetros de cristal | |||
Politipo | 4H | ||
Erro de orientación da superficie | <11-20 >4±0,15° | ||
Parámetros eléctricos | |||
Dopante | Nitróxeno tipo n | ||
Resistividade | 0,015-0,025 ohmios·cm | ||
Parámetros mecánicos | |||
Diámetro | 150,0 ± 0,2 mm | ||
Espesor | 350 ± 25 μm | ||
Orientación plana primaria | [1-100]±5° | ||
Lonxitude plana primaria | 47,5 ± 1,5 mm | ||
Piso secundario | Ningún | ||
TTV | ≤5 μm | ≤10 μm | ≤15 μm |
LTV | ≤3 μm (5mm*5mm) | ≤5 μm (5mm*5mm) | ≤10 μm (5mm*5mm) |
Proa | -15 μm ~ 15 μm | -35 μm ~ 35 μm | -45 μm ~ 45 μm |
Deformación | ≤35 μm | ≤45 μm | ≤55 μm |
Rugosidade frontal (Si-face) (AFM) | Ra ≤ 0,2 nm (5 μm * 5 μm) | ||
Estrutura | |||
Densidade de microtubos | <1 ea/cm2 | <10 unidades/cm2 | <15 ea/cm2 |
Impurezas metálicas | ≤5E10 átomos/cm2 | NA | |
BPD | ≤1500 ea/cm2 | ≤3000 ea/cm2 | NA |
TSD | ≤500 ea/cm2 | ≤1000 ea/cm2 | NA |
Calidade frontal | |||
Fronte | Si | ||
Acabado superficial | CMP Si-face | ||
Partículas | ≤60ea/oblea (tamaño ≥0,3μm) | NA | |
Raiaduras | ≤5 unidades/mm. Lonxitude acumulada ≤Diámetro | Lonxitude acumulada ≤ 2 * Diámetro | NA |
Casca de laranxa/focos/manchas/estrías/fechas/contaminación | Ningún | NA | |
Fichas de borde/sanges/fracturas/placas hexagonales | Ningún | ||
Áreas politípicas | Ningún | Área acumulada ≤ 20% | Área acumulada ≤ 30% |
Marcado frontal con láser | Ningún | ||
Calidade traseira | |||
Acabado traseiro | C-face CMP | ||
Raiaduras | ≤5ea/mm,Lonxitude acumulada≤2*Diámetro | NA | |
Defectos posteriores (fichas de bordo/sangrías) | Ningún | ||
Rugosidade nas costas | Ra ≤ 0,2 nm (5 μm * 5 μm) | ||
Marcado láser traseiro | 1 mm (desde o borde superior) | ||
Borde | |||
Borde | Chaflán | ||
Embalaxe | |||
Embalaxe | Epi-ready con envasado ao baleiro Embalaxe de casetes multiwafer | ||
*Notas: "NA" significa que non hai solicitude. Os elementos non mencionados poden referirse a SEMI-STD. |