Oblea de silicio

Breve descrición:

As obleas de silicio Semicera son a pedra angular dos modernos dispositivos semicondutores, que ofrecen unha pureza e precisión inigualables. Deseñadas para satisfacer as estritas demandas das industrias de alta tecnoloxía, estas obleas garanten un rendemento fiable e unha calidade consistente. Confía en Semicera para as túas aplicacións electrónicas de vangarda e solucións tecnolóxicas innovadoras.


Detalle do produto

Etiquetas de produtos

As obleas de silicio Semicera están meticulosamente elaboradas para servir como base para unha ampla gama de dispositivos semicondutores, desde microprocesadores ata células fotovoltaicas. Estas obleas están deseñadas con alta precisión e pureza, o que garante un rendemento óptimo en varias aplicacións electrónicas.

Fabricadas mediante técnicas avanzadas, as obleas de silicio Semicera presentan unha planitude e uniformidade excepcionais, que son cruciais para acadar altos rendementos na fabricación de semicondutores. Este nivel de precisión axuda a minimizar os defectos e mellorar a eficiencia global dos compoñentes electrónicos.

A calidade superior das obleas de silicio Semicera é evidente nas súas características eléctricas, que contribúen a mellorar o rendemento dos dispositivos semicondutores. Con baixos niveis de impurezas e alta calidade de cristal, estas obleas proporcionan a plataforma ideal para desenvolver produtos electrónicos de alto rendemento.

Dispoñibles en varios tamaños e especificacións, as obleas de silicio de Semicera pódense adaptar para satisfacer as necesidades específicas de diferentes industrias, incluíndo a informática, as telecomunicacións e as enerxías renovables. Xa sexa para fabricación a gran escala ou investigación especializada, estas obleas ofrecen resultados fiables.

Semicera comprométese a apoiar o crecemento e a innovación da industria de semicondutores proporcionando obleas de silicio de alta calidade que cumpren os máis altos estándares da industria. Con foco na precisión e fiabilidade, Semicera permite aos fabricantes superar os límites da tecnoloxía, garantindo que os seus produtos se manteñan á vangarda do mercado.

Elementos

Produción

Investigación

Maniquí

Parámetros de cristal

Politipo

4H

Erro de orientación da superficie

<11-20 >4±0,15°

Parámetros eléctricos

Dopante

Nitróxeno tipo n

Resistividade

0,015-0,025 ohmios·cm

Parámetros mecánicos

Diámetro

150,0 ± 0,2 mm

Espesor

350 ± 25 μm

Orientación plana primaria

[1-100]±5°

Lonxitude plana primaria

47,5 ± 1,5 mm

Piso secundario

Ningún

TTV

≤5 μm

≤10 μm

≤15 μm

LTV

≤3 μm (5mm*5mm)

≤5 μm (5mm*5mm)

≤10 μm (5mm*5mm)

Proa

-15 μm ~ 15 μm

-35 μm ~ 35 μm

-45 μm ~ 45 μm

Deformación

≤35 μm

≤45 μm

≤55 μm

Rugosidade frontal (Si-face) (AFM)

Ra ≤ 0,2 nm (5 μm * 5 μm)

Estrutura

Densidade de microtubos

<1 ea/cm2

<10 unidades/cm2

<15 ea/cm2

Impurezas metálicas

≤5E10 átomos/cm2

NA

BPD

≤1500 ea/cm2

≤3000 ea/cm2

NA

TSD

≤500 ea/cm2

≤1000 ea/cm2

NA

Calidade frontal

Fronte

Si

Acabado superficial

CMP Si-face

Partículas

≤60ea/oblea (tamaño ≥0,3μm)

NA

Raiaduras

≤5 unidades/mm. Lonxitude acumulada ≤Diámetro

Lonxitude acumulada ≤ 2 * Diámetro

NA

Casca de laranxa/focos/manchas/estrías/fechas/contaminación

Ningún

NA

Fichas de borde/sanges/fracturas/placas hexagonales

Ningún

Áreas politípicas

Ningún

Área acumulada ≤ 20%

Área acumulada ≤ 30%

Marcado frontal con láser

Ningún

Calidade traseira

Acabado traseiro

C-face CMP

Raiaduras

≤5ea/mm,Lonxitude acumulada≤2*Diámetro

NA

Defectos posteriores (fichas de bordo/sangrías)

Ningún

Rugosidade nas costas

Ra ≤ 0,2 nm (5 μm * 5 μm)

Marcado láser traseiro

1 mm (desde o borde superior)

Borde

Borde

Chaflán

Embalaxe

Embalaxe

Epi-ready con envasado ao baleiro

Embalaxe de casetes multiwafer

*Notas: "NA" significa que non hai solicitude. Os elementos non mencionados poden referirse a SEMI-STD.

tech_1_2_tamaño
Obleas de SiC

  • Anterior:
  • Seguinte: